[发明专利]玻璃在审
申请号: | 201780078378.5 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN110088053A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 齐藤敦己 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
主分类号: | C03C3/091 | 分类号: | C03C3/091;C03B17/06;C03C3/085;C03C3/087;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱金属氧化物 玻璃组成 无碱玻璃 应变点 玻璃 | ||
本发明的无碱玻璃的特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO255~70%、Al2O3 15~25%、B2O3 0~5%、MgO 3~10%、SrO 7~20%、BaO 0~5%,实质上不含碱金属氧化物,应变点高于720℃。
技术领域
本发明涉及玻璃,特别涉及适合于有机EL显示器的基板的玻璃。
背景技术
有机EL显示器等电子设备的体积薄且动画显示优异,耗电量也少,因此被用于手机的显示器等用途。
作为有机EL显示器的基板,广泛使用玻璃板。对该用途的玻璃板主要要求以下的特性。
(1)为了防止碱离子向通过热处理工序而成膜的半导体物质中扩散的情况,要求碱金属氧化物的含量少;
(2)为了使玻璃板低廉化,要求生产率优异、尤其是耐失透性、熔融性优异;
(3)为了在p-Si·TFT的制造工序中降低热收缩,要求应变点高;
(4)为了减轻搬运工序中的白重挠曲,要求比模量高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2009-525942号公报
发明内容
发明要解决的课题
若针对上述(3)进行详述,则在p-Si·TFT的制造工序中存在400~600℃的热处理工序,该热处理工序中,玻璃板产生被称为热收缩的微小尺寸变化。若热收缩大,则TFT的像素间距产生偏差,成为显示不良的原因。在有机EL显示器的情况下,即使是数ppm左右的尺寸收缩也有可能显示不良,要求低热收缩的玻璃板。需要说明的是,玻璃板承受的热处理温度越高,则热收缩变得越大。
作为降低玻璃板热收缩的方法,有将玻璃板成形后在退火点附近进行退火处理的方法。但是,退火处理需要较长时间,因此,玻璃板的制造成本高涨。
作为其它方法,有提高玻璃板应变点的方法。应变点越高,则在p-Si·TFT的制造工序中越难以发生热收缩。例如,专利文献1公开了高应变点的玻璃板。但是,若应变点高,则生产率容易降低。
本发明是鉴于上述情况而进行的,其技术课题是发明一种生产率(尤其是耐失透性)优异且比模量高、并且在p-Si·TFT的制造工序中的热收缩小的玻璃。
用于解决课题的手段
本发明人反复进行了各种实验,结果发现:通过严格地控制低碱玻璃、无碱玻璃的玻璃组成,能够解决上述技术课题,从而提出了本发明。即,本发明的玻璃的特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO2 55~70%、Al2O3 15~25%、B2O3 0~5%、Li2O+Na2O+K2O 0~0.5%、MgO 3~10%、SrO 7~20%、BaO 0~5%,且应变点高于720℃。此处,“Li2O+Na2O+K2O”是指Li2O、Na2O和K2O的总量。“应变点”是指基于ASTM C336的方法而测定的值。
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