[实用新型]一种光接收机

权利要求书

1.一种光接收机，其特征在于，包括：光电二极管(11)、输入放大器(12)和处理电路(13)；其中，所述光电二极管(11)与所述输入放大器(12)相连接；所述输入放大器(12)与所述处理电路(13)相连接。

2.根据权利要求1所述的光接收机，其特征在于，所述处理电路(13)包括均衡器(131)、衰减器(132)、AGC电路(133)和输出放大器(134)；其中，

所述均衡器(131)与所述输入放大器(12)相连接，所述衰减器(132)与所述均衡器(131)相连接，所述输出放大器(134)与所述衰减器(132)相连接，所述AGC电路(133)的两端分别连接衰减器(132)和所述输出放大器(134)。

3.根据权利要求1所述的光接收机，其特征在于，所述光电二极管(11)为横向PIN结构的GeSn光电二极管。

4.根据权利要求3所述的光接收机，其特征在于，所述光电二极管(11)包括：Si衬底(111)、晶化Ge层(112)、GeSn层(113)、正电极(114)和负电极(115)；其中，

所述晶化Ge层(112)设置于所述Si衬底(111)上，所述晶化Ge层(112)包括水平方向依次排列的N型掺杂区(1121)、i型区(1122)和P型掺杂区(1123)；

所述GeSn层(113)设置于所述i型区(1122)表面上；

所述正电极(114)的一端连接所述P型掺杂区(1123)，另一端连接至所述输入放大器(12)；

所述负电极(115)的一端连接所述N型掺杂区(1121)，另一端连接至所述输入放大器(12)。

5.根据权利要求4所述的光接收机，其特征在于，所述光电二极管(11)还包括钝化层(116)，所述钝化层(116)设置于所述晶化Ge层(112)和所述GeSn层(113)的上表面，用于隔离所述正电极(114)及所述负电极(115)。