[实用新型]高速微波放大光电探测器有效

专利信息
申请号: 201720249626.5 申请日: 2017-03-14
公开(公告)号: CN206556676U 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 肖楠;刘均;刘浪;周淼 申请(专利权)人: 重庆霓扬科技有限责任公司
主分类号: G01D5/26 分类号: G01D5/26
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所53113 代理人: 张玺
地址: 400000 重庆市渝北区*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 高速 微波 放大 光电 探测器
【权利要求书】:

1.一种高速微波放大光电探测器,其特征在于:包括探测器芯片(1)、光电转换器(2)、放大电路(3)、控制电路(4)与驱动电路(5),所述探测器芯片(1)输入端连接光信号输入端(6),所述探测器芯片(1)输出端连接所述光电转换器(2)输入端,所述光电转换器(2)输出端连接所述放大电路(3)输入端,所述放大电路(3)输入端连接所述控制电路(4)输出端,所述控制电路(4)输出端连接所述驱动电路(5)输入端,所述驱动电路(5)输出端连接所述探测器芯片(1)输入端,所述放大电路(3)输出端输出射频信号,直流电信号接入所述控制电路(4)。

2.根据权利要求1所述的高速微波放大光电探测器,其特征在于:所述探测器芯片(1)主要为InGaAs型探测器芯片,包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极(7),所述的外延片自n型InP半导体衬底(8)上连续生长:

一n型InP缓冲层(9);一i型InGaAs吸收层(10);一n型InP过渡层(11);一n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层(12),所述n型InP过渡层(11)中心设有一掺杂光敏区(51)和一掺杂保护环(52);位于所述n型InP过渡层(11)上表面依序设有一钝化膜层(13)及一增透过渡薄膜层(14);该增透过渡薄膜层(14)的部分表面设有一p型电极金属层(15);另一部分设有一绝缘层(16);该绝缘层表面设有一金属遮光层(17);一增透薄膜层(18)设于所述金属遮光层(17)、绝缘层(16)和掺杂光敏区(51)上表面。

3.根据权利要求1所述的高速微波放大光电探测器,其特征在于:所述放大电路(3)包括放大部,具备输入放大级和输出级,设置在所述输出级上的第一放大元件及第二放大元件作为推挽电路来动作;

第一电压缓冲器,其输入端连接于所述放大部的输出端,其输出端通过第一相位补偿电容连接于所述第一放大元件的信号输入端,并且通过第二相位补偿电容连接于所述第二放大元件的信号输入端;

以及第二电压缓冲器,其输入端连接于所述放大部的输出端或所述第一电压缓冲器的输出端,其输出端至少通过第三相位补偿电容连接于所述第一放大元件的信号输入端。

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