[实用新型]太阳能电池有效
申请号: | 201720241832.1 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN206657812U | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 吴承桦;王铭达;吴至昇;蔡锦堂;黄桂武 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种太阳能电池,且特别是有关于一种高功率太阳能电池。
背景技术
近年来,随着环保意识高涨以及石化能源的短缺,替代能源与再生能源便成了热门的议题。太阳能电池可将太阳能转换成电能,且光电转换的过程中不会产生二氧化碳或氮化物等对环境有害的物质,因此,太阳能电池成为近几年再生能源研究上相当重要且受欢迎的一环。
一般而言,太阳能电池包括主动层以及配置于主动层两对侧的电极层。当光束照射至太阳能电池时,主动层受光能的作用可产生电子-空穴对。通过两电极层之间电场使电子与空穴分别往两电极层移动,而产生电能的储存形态。此时若外加负载电路,便可输出电能而驱动电子装置。
目前太阳能电池模块因输出功率有限,而难以提供家庭及工业所需的电力。是以,如何提升太阳能电池模块的输出功率,便成为未来的趋势。
实用新型内容
本揭示内容的一技术态样是在提供一种高功率太阳能电池,此太阳能电池,包含:一半导体基板,具有一上表面以及相对于该上表面的一下表面;一射极层,位于该上表面;一第一钝化层,位于该射极层上;多个背表面电场区,彼此间隔地位于该下表面;一第二钝化层,位于该半导体基板的该下表面上,该第二钝化层具有多个开口;多个第一电极,设置于该第一钝化层上;以及多个第二电极,设置于该第二钝化层上,并分别经由所述多个开口贯穿该第二钝化层而接触所述多个背表面电场区;其中,位于相邻两第二电极间的该第二钝化层被暴露出,使一光线可经由暴露出的该第二钝化层进入该太阳能电池结构。
在本揭示内容的一实施例中,此半导体基板为单晶硅基板、多晶硅基板或非晶硅基板。
在本揭示内容的一实施例中,此第二钝化层为二氧化硅钝化层、氮化硅钝化层或氧化铝钝化层。
在本揭示内容的一实施例中,此多个第二电极还包括多条平行排列在第一方向的主极栅电极,以及多条平行排列在该第一方向的细极栅电极。
在本揭示内容的一实施例中,每一主极栅电极还包括多个电极区块。
在本揭示内容的一实施例中,两相邻主极栅电极间设置多条平行排列在该第一方向的细极栅电极。
在本揭示内容的一实施例中,多个第二电极还包括多条平行排列在一第一方向的主极栅电极,以及多条平行排列在一第二方向的细极栅电极,其中该第一方向垂直该第二方向。
在本揭示内容的一实施例中,此第一电极为银电极。
在本揭示内容的一实施例中,此第二电极为铝电极。
在本揭示内容的一实施例中,此半导体基板与射极层间形成一pn接面。
综上所述,本实用新型是将钝化射极背电极电池(Passivated Emitter and Rear Cells,PERC)的背面电极以细栅化背电极取代整面背电极,不仅能让电池背面也能吸光发电,提升发电效率,更能降低整体铝浆使用成本。
附图说明
图1所示为根据本实用新型一实施例于半导体基板前表面F形成射极层的概略图;
图2所示为根据本实用新型一实施例于射极层上形成第一钝化层以及于半导体基板背表面R沉积一层第二钝化层的概略图;
图3所示为根据本实用新型一实施例于第二钝化层上形成多个开孔的概略图;
图4所示为根据本实用新型一实施例于半导体基板的前表面F形成多个第一电极,以及于半导体基板的背表面R形成背电极的概略图;
图5所示为根据本实用新型一实施例于将背电极进行细栅化形成多个第二电极的概略图;
图6所示为根据本实用新型一实施例的半导体基板背表面R的上视图;
图7所示为根据本实用新型另一实施例的半导体基板背表面R的上视图。
具体实施方式
钝化射极背电极电池是应用背面点接触来代替整个背面铝合金接触,其特征在于电池前表面及背表面上具有钝化层(Passivation),且于前表面上的钝化层充当抗反射层,而背表面上的钝化层有开孔,做为延长电荷载子的寿命并因而改善光转换效率。然而,除了激光开孔部分能够有效形成电极接触外,其余的部分皆为无效区域。因此,本实用新型是将钝化射极背电极电池(Passivated Emitter and Rear Cells,PERC)的背面电极以细栅化背电极取代整面背电极,不仅能让电池背面也能吸光发电,提升发电效率,更能降低整体铝浆使用成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的