[实用新型]一种手持式熔锡设备

权利要求书

1.一种手持式熔锡设备，其特征在于，包括电路板仓和高频振荡电路，所述高频振荡电路包括谐振电路板、谐振线圈和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈包括两个串联的第二高频线圈和第三高频线圈，所述第二高频线圈和第三高频线圈的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈和第三高频线圈的另一端伸入电路板仓与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形；所述高频振荡电路具体包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一非极性电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、所述第二高频线圈、所述第三高频线圈，所述第一高频线圈是续流电感，所述第一电阻的第一端与第一高频线圈的第一端、第四电阻的第一端、电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管的第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的G极连接，所述第一高频线圈的第二端与所述第二高频线圈的第二端、所述第三高频线圈的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第二端、第六二极管的第一端、第四二极管的第二端、第二晶体管的G极连接，所述第一二极管的第一端与所述第三高频线圈的第二端、第一非极性电容的第二端、第五二极管的第二端、第二晶体管的D极连接，所述第六二极管的第二端与所述第二高频线圈的第一端、第一非极性电容的第一端、第二二极管的第一端、第一晶体管的D极连接，所述第二电阻的第二端、第三二极管的第二端、第一晶体管的S极、第二二极管的第二端、第三电阻的第一端、第四二极管的第一端、第二晶体管的S极、第五二极管的第一端接入电源地。

2.如权利要求1所述的手持式熔锡设备，其特征在于：还包括保护电路，所述保护电路耦接于供电端和第一高频线圈的第一端之间，包括基准电压产生电路和反馈环路，所述基准电压产生电路包括并联电路和第七电阻，所述并联电路包括并联的第七齐纳二极管、第八电阻和第二电容，所述并联电路的第一端接地，所述并联电路的第二端耦接第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端耦接供电端，所述反馈环路包括第三晶体管、第一放大器、第二放大器和第九电阻，所述第三晶体管的第一端耦接供电端，所述第三晶体管的第二端耦接第一高频线圈的第一端，所述第三晶体管的控制端耦接第一放大器的输出端，所述第一放大器的第二输入端耦接并联电路的第二端，所述第一放大器的第一输入端耦接第二放大器的输出端，所述第二放大器的输入端耦接第一高频线圈的第一端，所述第二放大器的输出端耦接第九电阻后耦接地，所述第三晶体管为场效应晶体管或者MOS晶体管或者三极管。

3.如权利要求2所述的手持式熔锡设备，其特征在于，所述保护电路还包括匹配环路、比较器和放电通路，所述匹配环路包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻，所述第十电阻的第一端耦接供电端，所述第十电阻的第二端耦接第十一电阻后耦接地，所述第十二电阻的第一端耦接供电端，所述第十二电阻的第二端耦接第十三电阻后耦接地，所述第十电阻的第二端耦接比较器的第一输入端，所述第十二电阻的第二端耦接比较器的第二输入端，放电通路包括串联的N-MOS晶体管和第十四电阻，所述比较器的输出端连接N-MOS晶体管的控制端，所述N-MOS晶体管的第二端耦接地，所述N-MOS晶体管的第一端耦接地十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端耦接第一放大器的第二输入端。

4.如权利要求3所述的手持式熔锡设备，其特征在于,所述第十电阻和第十二电阻均为匹配电阻，第十一电阻的温度系数大于第十三电阻的温度系数，常温下第十一电阻的阻值小于第十三电阻的阻值。

5.如权利要求4所述的手持式熔锡设备，所述第三二极管、第四二极管为稳压二极管，所述第一二极管、第二二极管、第五二极管、第六二极管为快恢复二极管。

6.如权利要求5所述的手持式熔锡设备，第一晶体管和第二晶体管均为场效应晶体管。

7.如权利要求1所述的手持式熔锡设备，其特征在于，所述电路板仓具有小孔，所述小孔设置了高频振荡电路中电源的开关。

8.如权利要求1所述的手持式熔锡设备，其特征在于，所述第一高频线圈、第二高频线圈和第三高频线圈的直径为20mm。

9.如权利要求1所述的手持式熔锡设备，其特征在于，所述第一高频线圈、第二高频线圈和第三高频线圈的匝数为5匝。