[发明专利]一种基于LDS工艺的近场通讯天线及其通讯设备在审
| 申请号： | 201711482116.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994826A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 潘英鹤;马超;王宗顺 | 申请（专利权）人： | 深圳市海德门电子有限公司;上海德门电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q7/00;H01Q1/24;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线圈层 通讯设备 近场通讯天线 近场通信设备 电感 磁性材料层 工艺实现 天线整体 性能要求 一致性好 电阻 贴合 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于LDS工艺的近场通讯天线，包括线圈层和磁性材料层，其特征在于，所述线圈层为由LDS工艺制成的线圈层。
2.根据权利要求1所述的基于LDS工艺的近场通讯天线，其特征在于，所述线圈层的厚度为0.005mm～0.015mm。
3.根据权利要求1所述的基于LDS工艺的近场通讯天线，其特征在于，所述磁性材料层为铁氧体材料层或者铁氧体磁质柔性材料层。
4.根据权利要求1所述的基于LDS工艺的近场通讯天线，其特征在于，所述线圈层的电阻小于或等于1Ω，电感为1-2μH。
5.一种通讯设备，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的近场通讯天线，所述近场通讯天线形成于所述通讯设备的壳体上。
6.根据权利要求5所述的通讯设备，其特征在于，所述通讯设备的壳体在近场通讯天线辐射侧为非导电非导磁材质。
7.根据权利要求5所述的通讯设备，其特征在于，所述近场通讯天线在所述通讯设备的壳体上双面走线。
8.根据权利要求5所述的通讯设备，其特征在于，所述通讯设备中，从壳体到射频电路的顺序依次为：壳体、近场通讯天线的线圈层、近场通讯天线的磁性材料层和射频电路层。
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