[发明专利]表膜构件框架和使用该表膜构件框架的表膜构件

说明书

本发明的目的在于提供一种表现出高的PID(表膜构件变形)抑制效果的表膜构件框架和使用它的表膜构件。本发明的表膜构件框架是多边形框形状的表膜构件框架，其特征在于，在表膜构件框架的角部内部形成有中空部。另外，本发明的表膜构件框架也可以在表膜构件框架的直线部内部形成有中空部，优选形成在表膜构件框架的角部内部的中空部和形成在直线部内部的中空部是连通的。

技术领域

本发明涉及表膜构件框架和使用该表膜构件框架而构成的光刻用表膜构件。

背景技术

在制造半导体器件、液晶显示器等之际的光刻工序中，对涂敷有抗蚀剂的半导体晶圆、液晶用原板照射光来制作图案，但是如果此时使用的光掩模和中间掩膜(以下称为光掩模)上附着有异物，则除了由于该异物吸收光或使光弯折而导致所转印的图案发生变形或者边缘粗糙以外，还会存在基底污黑或者尺寸、质量、外观等受损的问题。

这些光刻工序通常在无尘室内进行，但是即使如此也难以保证曝光原版总是清洁。因此，一般采用对曝光原版设置被称为表膜构件的除异物构件来进行曝光的方法。

这种表膜构件一般包括：框状的表膜构件框架；张设于表膜构件框架的上端面的表膜；以及形成于表膜构件框架的下端面的气密用衬垫等。其中的表膜包括对曝光用光表现出高的透射率的材料，气密用衬垫采用粘合剂等。

只要对光掩模设置这种表膜构件，异物就不会直接附着于光掩模，而会附着于表膜构件上。并且，在光刻中只要使焦点对准到光掩模的图案上即可，表膜构件上的异物就会与转印无关，能抑制图案的变形等问题。

然而，在这种光刻技术中，作为提高分辨率的手段，已推进曝光用光源的短波长化。目前为止，曝光用光源已从水银灯的g线(436nm)、i线(365nm)转向KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)，而且也在研究主波长为13.5nm的EUV(Extreme UltraViolet：远紫外)光的使用。

当前，在将表膜构件贴附于光掩模时，出现了光掩模中发生变形的问题。在此将该变形称为PID(Pellicle Induced Distortion：表膜构件引起的变形)。该PID会导致在光刻工序中形成的图案的位置精度出现偏离，在半导体器件制造中成为大问题。

作为用于减少这种由表膜构件的贴附带来的光掩模的变形的手段，专利文献1公开了截面积为6mm²以下的表膜构件框架。另外，专利文献2公开了为了在保持表膜构件框架的宽度、高度的状态下使截面积变小而将截面形状设为I形状的表膜构件框架，专利文献3公开了在内部并排设有多个中空部的表膜构件框架。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009-25562号

专利文献2：特开2011-7934号

专利文献3：国际公开第2016/072149号

发明内容

发明要解决的问题

现有的这些表膜构件框架是考虑到表膜构件框架的变形是PID的一个因素而开发的。即，在将表膜构件框架贴附到比表膜构件框架平坦的光掩模的情况下，表膜构件框架沿着光掩模发生变形，而此时在表膜构件框架中会产生试图返回原有状态的应力(弹力)。因此，当撤去外力时，就会追随表膜构件框架的变形而在光掩模中发生变形，因此为了减小该应力而使表膜构件框架的刚性变小。

然而，在专利文献2的截面形状为I形状的表膜构件框架中，虽然具有PID的抑制效果，但是表膜构件框架的表面积增大，因此存在检查范围变大，作业效率降低的问题。