[发明专利]一种片上信号监测系统

权利要求书

1.一种片上信号监测系统，其特征在于，包括：频率发生电路，跟踪保持电路和10位模数转换电路；

所述频率发生电路将芯片间数据传输接口中的2GHz源同步时钟信号clock作为输入信息，且所述频率发生电路输出127.5MHz的采样时钟信号sclk；

所述跟踪保持电路，包括：采样模块和补偿模块；所述跟踪保持电路无延迟接收8Gb/s的高速数据信号，并基于127.5MHz的采样时钟信号sclk对芯片间数据传输接口输出的差分数据信号sinp及sinm进行采样；

所述10位模数转换电路接收所述跟踪保持电路输出的采样模拟信号samp和samm，并将采样模拟信号samp和samm转换为10位数字信号datas输出。

2.如权利要求1所述的片上信号监测系统，其特征在于，所述数字信号datas通过数字波形仪器显示并分析。

3.如权利要求1所述的片上信号监测系统，其特征在于，所述采样模块，包括：MOS管M1至M17，保持电容C1和C2，电阻R1和R2，采样时钟信号接收端口SCLK1和SCLK2，反相采样时钟信号接收端口SCLKB1至SCLKB6，偏置电流输入端口BIAS，正相数据信号输入端口SINP，反相数据信号输入端口SINM，正相信号输出端口OUTP，以及反相信号输出端口OUTM。

4.如权利要求3所述的片上信号监测系统，其特征在于，

MOS管M1的源极连接电源，MOS管M1的栅极连接MOS管M7的源极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的漏极；MOS管M2的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB1，MOS管M2的源极连接MOS管M5漏极；保持电容C1的上端连接正相信号输出端口OUTP，保持电容C1的下端接地；MOS管M4的源极连接电源VCC，MOS管M4的栅极连接MOS管M6的漏极，MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极；MOS管M3的栅极连接采样时钟信号接收端口SCLK1，MOS管M3的漏极连接MOS管M5的漏极；MOS管M5的栅极连接MOS管M9的栅极，MOS管M5的源极接地；MOS管M7的源极连接电阻R1的下端，MOS管M7的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB2，MOS管M7的漏极连接MOS管M4的栅极；MOS管M6的漏极连接MOS管M7的漏极，MOS管M6的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB3，MOS管M6的源极接地；电阻R1的上端连接电源VCC，电阻R1的下端连接MOS管M8的源极；MOS管M8的栅极连接反相数据信号输入端口SINM，MOS管M8的漏极连接MOS管M9的漏极；电阻R2的上端连接电源VCC，电阻R2的下端连接MOS管M10的源极；MOS管M10的栅极连接正相数据信号输入端口SINP，MOS管M10的漏极连接MOS管M9的漏极；MOS管M9的栅极连接MOS管M15的栅极，MOS管M9的源极接地；MOS管M11的源极连接电阻R2的下端，MOS管M11的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB4，MOS管M11的漏极连接MOS管M12的漏极；MOS管M12的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB5，MOS管M12的源极接地；MOS管M13的源极连接电源VCC，MOS管M13的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M13漏极连接MOS管M14的源极；MOS管M14的栅极连接采样时钟信号接收端口SCLK2，MOS管M14的漏极连接MOS管M15的漏极；MOS管M15的栅极连接偏置电流输入端口BIAS，MOS管M15的源极接地；MOS管M16的源极连接电源VCC，MOS管M16的栅极连接MOS管M11的源极，MOS管M16的漏极连接MOS管M17的漏极；MOS管M17的栅极连接反相采样时钟信号接收端口SCLKB6，MOS管M17的源极连接MOS管M15的漏极；保持电容C2的上端连接反相信号输出端口OUTM，保持电容C2的下端接地。

5.如权利要求1所述的片上信号监测系统，其特征在于，所述补偿模块包括MOS管M8至M24，电阻R3和R4，正相信号输入端口INP，反相信号输入端口INM，偏置电流输入端口BIAS，正相采样信号输出端口SAMP，反相采样信号输出端口SAMM。