[发明专利]一种采用交替电流剥离制备石墨烯的方法有效
申请号: | 201711335782.4 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108117065B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 毋伟;朱碧馨;田杰;黄晓惠;吴赛 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C01B32/19 | 分类号: | C01B32/19 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 交替 电流 剥离 制备 石墨 方法 | ||
一种采用交替电流剥离制备石墨烯的方法,属于石墨烯的制备领域。具体步骤如下:1.配制一定浓度的电解质溶液;2.以高纯石墨板为阴阳电极,固定极板间距,通过定时交换电极的方式在电解液中循环剥离;3.一定时间后完成剥离,取出电极,对电解液抽滤洗涤;4.取固体超声分散均匀,离心后上清液即为石墨烯。本方法操作过程简便,易于大批量制备氧化程度低的石墨烯。通过交替电极的剥离方法可以在阳极剥离石墨烯后,即时采用阴极电流还原,制备出的石墨烯氧化程度低,缺陷较小。调节合适的交替频率后可以制备出特定片径尺寸(100纳米至几微米)的石墨烯,单层和双层率高达80%以上,在生物制药和复合材料中具有更广泛的用途。
技术领域
本发明属于石墨烯的制备领域,具体地说涉及一种采用交替电流剥离石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯是由碳原子通过sp2杂化形成的六元环晶格结构材料,2004年首次由英国科学家Andre Geim和Konstantin Novoselov利用胶带剥离石墨制得。单层的石墨烯很薄,厚度只有一个原子层,约为0.335nm,却是世界上已知的强度最大的材料,其强度高达130GP。石墨烯比表面积的理论值约为2600m2/g,室温热导率达到了(5.3±0.48)×103W·m-1·K-1,断裂强度和杨氏模量分别高达40N/m和1.0TPa,具有良好的导电、导热和力学性能。优异的性能决定了石墨烯在许多领域都有广阔的应用前景,例如,超级电容器、电化学传感器、场效应晶体管、微生物燃料电池、染料敏化太阳能电池等,从而引发了科学界对它的研究热潮。
鉴于石墨烯光明的应用前景,如何低成本制备出质量高、可应用的石墨烯是现阶段科学家面临的一个重要的研究内容。目前使用的主要方法有化学法和电化学法,下面具体介绍各种剥离方法及其优缺点。
化学法主要包括机械剥离法、氧化石墨还原法、化学气相沉积法(CVD)和外延生长法等。机械剥离法是采用一定的机械力作用于石墨材料,将石墨烯从中剥离出来的方法。缺点是制备的偶然性大,产品石墨烯尺寸不一且产量低,不能实现石墨烯的大面积和规模化制备,但工艺简单、样品的质量高,适合用于实验室基础研究。氧化石墨还原法是采用强酸、强氧化物作用或者热处理天然石墨,得到氧化石墨烯,通过超声分散后,再用还原剂去除相关含氧基团,得到还原氧化石墨烯。该法优点是成本较低、可实现石墨烯批量生产。但采用氧化还原法制备的石墨烯中部分含氧官能团不能完全去除,晶体结构会有一定程度的破坏,难以得到完整的石墨烯片层结构,从而导致一些物理、化学性能的损失。CVD是在可分解的高温碳氢气体中,通过高温退火,让碳原子在基体表面沉积形成单层石墨烯,该方法具有可控、工艺简单、可生产大面积(可达数平米)石墨烯等特点。但制备的石墨烯存在晶界缺陷、针孔、皱纹和裂纹,且有杂质生成,对设备环境有较强的依赖性,成本偏高,污染大。外延生长法本质上就是一种碳原子的重构化学反应,可分为SiC外延生长法和金属衬底外延生长法。工艺条件是高温(通常>1300℃),超真空(通常<10-6Pa),在此时SiC中Si原子被脱除,剩下的C原子生长成石墨烯。该法适于大面积、高质量石墨烯的制备,可实现晶圆级大规模石墨烯材料的制备,但将石墨烯从制备基体转移到目标基体时,受基片的影响而难以转移,而采用“基体腐蚀法”成本高,不利于规模化应用。
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