[发明专利]一种银纳米线及其制备方法

说明书

本发明公开了一种银纳米线及其制备方法，该方法包括如下步骤：S1、将银的卤化物加入到液态的多羟基有机物中，并对混入了所述银的卤化物所述液态的多羟基有机物进行超声波处理，得到均匀的分散液；S2、使所述分散液反应得到混合物；S3、将所述混合物离心后收集沉淀，得到所述银纳米线。本发明无需引入银纳米线生长控制剂，反应原料少，成本低，方法简单，所得到的银纳米线表面更清洁。

技术领域

本发明涉及纳米材料制备的技术领域，尤其涉及一种银纳米线及其制备方法。

背景技术

一维金属银纳米线由于其独特的物理化学性能，已成为当下研究的热点，其潜在应用领域包括：偏光器件、光子晶体、催化以及生物和化学传感器等。基于其优异的光电性能，由银纳米线制作的透明电极在触摸屏、显示器、太阳能及OLED等光电领域拥有广阔的应用前景。

目前，主流透明电极材料铟掺杂氧化锡(ITO)具有脆性，复杂的工艺，高电阻，高成本等方面的缺陷，银纳米线透明电极已成为ITO最具潜力的替代材料。在传统的银纳米线制备中，通常加入聚合物，如：聚乙烯吡咯烷酮等，作为银纳米线生长的控制剂，虽然能有效地控制银纳米线的生长，但增加了银纳米线的制备成本及工艺的复杂性，更重要的问题在于这些聚合物通常是绝缘的，反应后会残留在银纳米线的表面，很难去除，这将严重降低银纳米线的后续处理效率，降低银线网络导电性，影响其在光电领域的应用。

发明内容

本发明提供了一种银纳米线的制备方法，包括如下步骤：

S1、将银的卤化物加入到液态的多羟基有机物中，并对混入了所述银的卤化物所述液态的多羟基有机物进行超声波处理，得到均匀的分散液；

S2、使所述分散液反应得到混合物；

S3、将所述混合物离心后收集沉淀，得到所述银纳米线。

优选地，在步骤S2中，所述分散液反应的温度为25℃～300℃。

优选地，在步骤S2中，所述分散液反应的时长为30min～480min。

优选地，所述银的卤化物选自氯化银、溴化银和碘化银中的至少一种。

优选地，所述液态的多羟基有机物选自乙二醇，丙二醇和丙三醇中的至少一种。

优选地，所述银的卤化物和液态的多羟基有机物的质量比为1:1～1:1000。

优选地，所述银的卤化物和液态的多羟基有机物的质量比为1:500。

优选地，所述分散液反应的温度为160℃。

优选地，所述分散液反应的时长为240min。

本发明还提供了一种银纳米线，采用任一所述的制备方法制备得到。

有益效果：

本发明以银的卤化物为银的前驱体，能够低成本，通过简单的工艺制备表面清洁的金属银纳米线。本发明无需引入银纳米线生长控制剂，反应原料少，成本低，方法简单，所得到的银纳米线表面更清洁。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1为实施例1制备得到的银纳米线的X射线衍射图谱；

图2为实施例1制备得到的银纳米线的透射电镜图；

图3为实施例2制备得到的银纳米线的透射电镜图；

图4为实施例3制备得到的银纳米线的透射电镜图；

图5为实施例4制备得到的银纳米线的透射电镜图；

图6为实施例5制备得到的银纳米线的透射电镜图；