[发明专利]一种FLASH均衡擦写方法及系统在审

专利信息
申请号: 201711284661.1 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108255740A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 文明;刘俊 申请(专利权)人: 深圳市中易通安全芯科技有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F3/06
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明;洪铭福
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 物理块 擦写 均衡 空闲 内存缓存区 物理地址 映射表 映射 轮询 写入 存储技术领域 查找 存储逻辑 更新管理 逻辑地址 使用寿命 数据缓存 管理表 更新 保证
【说明书】:

发明公开了一种FLASH均衡擦写方法,包括步骤:S1,获取当前逻辑地址映射的当前物理块,所述物理块对应有物理块编号及物理地址;S2,轮询查找空闲物理块作为目的物理块;S3,将当前物理块的数据缓存并更新到内存缓存区,将更新后的内存缓存区数据写入到目的物理块中;S4,更新管理表状态,所述管理表用于存放映射表,利用映射表存储逻辑地址所映射的物理块编号及物理地址。本发明还公开了一种FLASH均衡擦写系统。本发明涉及存储技术领域,一种FLASH均衡擦写方法及系统,通过对FLASH空闲物理块进行轮询查找,再将数据写入空闲物理块,保证FLASH中物理块的均衡使用,延长FLASH的使用寿命。

技术领域

本发明涉及存储技术领域,尤其涉及一种FLASH均衡擦写方法及系统。

背景技术

随着集成电路的不断发展,加上多芯片封装技术的出现,芯片功能越来越多样化。目前,现有的各类芯片产品中多数采用非易失性的FLASH芯片(快闪存储器)作为存储介质,如固态硬盘、安全芯片、智能IC卡等。随着FLASH的普及以及价格的不断下降,更多的业务场景中需要用到FLASH存储介质,由于存储介质工作在一个高频率的读写状态,需对数据进行多次读写操作,有时候可能对某一页进行反复擦写,一般FLASH存储介质的擦写次数都是在十万次左右,FLASH的寿命是有限的,在现有技术中,由于算法过于复杂,数据结构多,占用较多系统资源,对设备整体性能产生影响,同时,在写数据进FLASH时,可能发生数据写入异常、物理存储块的损坏、设备进行异常(如异常断电)等情况导致的数据破坏或丢失。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种FLASH均衡擦写方法,实现FLASH存储的擦写均衡,延长FLASH的使用寿命。

为了解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种FLASH均衡擦写系统,实现FLASH存储的擦写均衡,延长FLASH的使用寿命。

本发明所采用的技术方案是:一种FLASH均衡擦写方法,包括步骤:

S1,获取当前逻辑地址映射的当前物理块,所述物理块对应有物理块编号及物理地址;

S2,轮询查找空闲物理块作为目的物理块;

S3,将当前物理块的数据缓存并更新到内存缓存区,将更新后的内存缓存区数据写入到目的物理块中;

S4,更新管理表状态,所述管理表用于存放映射表,利用映射表存储逻辑地址所映射的物理块编号及物理地址。

作为上述方案的进一步改进,所述步骤S1具体为:根据用户输入的当前逻辑地址从映射表中得到当前逻辑地址映射的当前物理块,所述物理块对应有物理块编号及物理地址,利用当前物理块编号计算出当前物理地址。

作为上述方案的进一步改进,所述步骤S2具体为:通过最后使用块对应物理块编号下一位开始并通过空闲物理块搜索算法在位图表中轮询查找空闲物理块作为目的物理块,利用目的物理块对应的目的物理块编号计算出目的物理块的物理地址,所述位图表用于存储物理块的状态。

作为上述方案的进一步改进,所述步骤S3包括子步骤:

S31,从当前物理地址读取当前物理块数据,将当前物理块数据缓存到内存缓存区,并在内存缓存区中更新写入的数据;

S32,校验内存缓存区的当前缓存数据,对缓存更新后的数据进行CRC32运算,得到第一运算值value1并记录;

S33,获取最后使用块编号,从最后使用块编号下一位通过空闲物理块搜索算法开始在位图表中轮询查找目的物理块并计算目的物理块地址,将缓存更新后的数据写入目的物理块物理地址;

S34,读取目的物理地址读取目的物理块数据,将目的物理块数据缓存到内存缓存区中,校验内存缓存区的目的缓存数据,对缓存数据进行CRC32运算,得到第二运算值value2并记录;

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