[发明专利]非制冷型红外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底(10)；

在所述衬底(10)上制作形成第一电极层(20)；

在所述第一电极层(20)上制作形成吸收层(30)；

在所述吸收层(30)上制作形成缓冲层(40)；

在所述缓冲层(40)上制作形成透明电极层(50)；

在所述透明电极层(50)上制作形成第二电极层(60)，

所述吸收层(30)的材料为ⅠB-ⅡB-ⅣA-ⅥA掺杂P型材料，所述缓冲层(40)的材料为N型半导体材料；所述ⅠB为铜，所述ⅡB为锌、镉和汞中的任意一种或者任意两种，所述ⅣA为锡和铅中的至少一种，所述ⅥA为硒或者碲，

在所述第一电极层(20)上制作形成吸收层(30)的步骤之后，所述制备方法还包括对所述吸收层(30)进行高温退火处理，对所述吸收层(30)进行高温退火处理的方法具体包括：

将所述吸收层(30)置于惰性气体和还原性硒氛围中；

对所述吸收层(30)进行加热处理，使所述吸收层(30)以预定加热速率从室温升高至450℃，并维持第一预定时间；

在第二预定时间内将所述吸收层(30)从450℃升温到480℃～520℃，并维持第三预定时间；

将所述吸收层(30)自然冷却至室温；

所述预定加热速率的范围为3.5℃/min～15℃/min，所述第一预定时间为30分钟，所述第二预定时间为1分钟，所述第三预定时间为15分钟。

2.根据权利要求1所述的非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，采用真空蒸镀工艺、热蒸镀工艺、电子束镀膜工艺、溅射工艺和化学气相沉积工艺中的任意一种工艺在所述第一电极层(20)上制作形成所述吸收层(30)。

3.根据权利要求1所述的非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，所述吸收层(30)的厚度为1μm至1.5μm。

4.根据权利要求1所述的非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，采用化学水浴沉积工艺、电子束镀膜工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺中的任意一种在所述吸收层(30)制作形成所述缓冲层(40)。

5.根据权利要求1所述的非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，所述透明电极层(50)包括高阻层和窗口层，在所述缓冲层(40)上制作形成透明电极层(50)的方法具体包括：

在所述缓冲层(40)上制作形成高阻层；

在所述高阻层上制作形成窗口层。