[发明专利]离线式锡渣还原机在审
申请号: | 201711178307.0 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107881350A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 黄谷山 | 申请(专利权)人: | 黄谷山 |
主分类号: | C22B25/06 | 分类号: | C22B25/06;C22B25/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 重庆市万州*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离线 式锡渣 还原 | ||
技术领域
本发明涉及一种锡渣还原机,尤其涉及一种离线式锡渣还原机。
背景技术
工业生产中,常会涉及到熔融一种金属或合金,使其与另一种金属结合或附着的工艺。由于多数金属与氧接触均会氧化,如在静态锡炉或动态波峰炉中产生的锡渣(SnO和SnO2)即是一种工业中金属氧化最常见的例子。在高温环境下,尤其是在融化状态下,金属(或合金)氧化的状况会更加剧烈,很快会形成一层氧化物,且越聚越多。而在熔融金属与其他金属附着结合的工艺过程中,熔融金属须不停的流动循环,这一方面会加剧氧化速度,另一方面意味着表层的氧化物和少量的氧气会被带到液面以下,即液体内部。那么氧化在内部同样会发生。这样氧化物将夹带良好的金属浮上液面,形成浮渣。由于浮渣不停的产生,浮出,造成浮渣累积越来越多,层层相叠,越来越厚,几小时后影响液面流动,甚至产生外溢,污染又危险。所产生的浮渣不能正常参与融合的生产过程,只能不断地打捞出来,另行处理。因打捞出浮渣后,液面高度不够,甚至生产用量不够,只能不断地添加补充新的金属原料。
含锡量高的锡渣残留物如果被扔掉而不利用,会造成浪费。在现有技术中,通常采用高温直接熔炼锡渣锅,由于温度过高(超过500℃),还原率低(≤75%),再氧化严重。
发明内容
针对上述不足,本发明的目的在于提供一种离线式锡渣还原机,达到还原提纯纯锡的目的,反应快速、充分、完全,还原率高、产能高,还原出的纯锡纯度高,可循环再利用,保证锡液的利用率。
本发明为达到上述目的所采用的技术方案是:
一种离线式锡渣还原机,包括一机箱、及设置于机箱内的一锡炉,其特征在于,还包括设置于机箱内且延伸至锡炉内的一搅拌机构、设置于机箱内且连接至搅拌机构的一搅拌驱动机构、设置于机箱内且延伸至锡炉上端开口处的一锡渣上料机构、及设置于机箱内且延伸至锡炉上端开口处的一锡渣还原剂滴加机构,其中,该锡炉底部具有一纯锡出料口,且该锡炉一侧边上部开设有一杂质出料口;由该锡渣上料机构往锡炉内加入锡渣,并由该锡渣还原剂滴加机构向锡炉内滴加锡渣还原剂,同时,配合该搅拌机构的搅拌作用,锡渣与锡渣还原剂发生反应,且反应温度达到260°-300°,反应1-9min后,锡渣中的杂质被分离出来,并从杂质出料口流出,而纯锡沉淀至锡炉内底部,并从纯锡出料口放出。
作为本发明的进一步改进,所述搅拌驱动机构包括一搅拌电机、及连接于搅拌电机的一牙箱。
作为本发明的进一步改进,所述搅拌机构包括连接于牙箱下端的一转动轴、套设于转动轴外围的一叶轮、套设转动轴外围且位于叶轮上方的一上搅拌桨、及套设转动轴外围且位于叶轮下方的一下搅拌桨。
作为本发明的进一步改进,所述锡渣上料机构包括一锡渣上料槽、及连通于锡渣上料槽一侧边且延伸至锡炉上端开口处的一锡渣上料滑道。
作为本发明的进一步改进,所述锡渣还原剂滴加机构包括一锡渣还原剂添加槽、及连通于锡渣还原剂添加槽且延伸至锡炉上端开口处的一锡渣还原剂滴加管,其中,在该锡渣还原剂添加槽底部开设有供锡渣还原剂滴加管连接的一锡渣还原剂出口,且在该锡渣还原剂出口处设置有一阀门开关。
作为本发明的进一步改进,所述锡炉内设置有加热管。
作为本发明的进一步改进,所述机箱内壁上设置有保温棉。
作为本发明的进一步改进,在所述纯锡出料口上设置有一控制开关。
作为本发明的进一步改进,在所述机箱内且位于锡炉侧边设置有一杂质收纳槽,在该杂质出料口与杂质收纳槽上端开口之间设置有一杂质出料滑槽。
作为本发明的进一步改进,在所述锡炉内壁上设置有一液位传感器与一温度传感器,在所述机箱上设置有一电源开关按钮、电连接于搅拌驱动机构的一正反转开关按钮、电连接于液位传感器的一锡位报警指示灯、电连接于温度传感器的一温控指示灯、及电连接于搅拌驱动机构的一电机开关按钮。
本发明的有益效果为:通过搅拌机构、搅拌驱动机构、锡渣上料机构与锡渣还原剂滴加机构等结构相结合,结合上特定的锡渣还原剂,实现锡渣与锡渣还原剂的化学反应,以达到还原提纯纯锡的目的,反应快速、充分、完全,还原率高、产能高,还原出的纯锡纯度高,可循环再利用,保证锡液的利用率。
上述是发明技术方案的概述,以下结合附图与具体实施方式,对本发明做进一步说明。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明的一部分结构示意图;
图3为本发明的另一部分结构示意图;
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