[发明专利]一种基于p‑6p/C8‑BTBT复合材料的OFET管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于p-6p/C8-BTBT复合材料的OFET管，包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），其特征是：有源层（3）为p-6p/C8-BTBT复合材料，在绝缘层（2）表面上覆盖p-6p层（31），在p-6p层（31）上结晶C8-BTBT层（32），形成为有序晶体状有机薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于p-6p/C8-BTBT复合材料的OFET管，其特征是：所述的p-6p/C8-BTBT复合材料中p-6p厚度不大于1nm。

3.一种制备权利要求1所述OFET管的方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤1、ITO基片的预处理：用镀有ITO的玻璃基片作为衬底，ITO作为栅极；将切割好的ITO基片分别置于清洗液、去离子水、氯仿、丙酮和异丙醇中各超声清洗，用氮气枪吹干基片后用紫外臭氧清洗，再将基片置于真空烘干箱中烘干，转而在热环境下干燥；

步骤2、在基片上旋涂绝缘层：用PMMA作为绝缘层；将PMMA溶于苯甲醚中，配置浓度为4~10wt%的PMMA溶液，将溶有PMMA的苯甲醚溶液旋涂在ITO基片上，在真空干燥箱内退火，然后取出用氮气枪吹干；

步骤3、蒸镀p-6p/C8-BTBT复合材料：以p-6p/C8-BTBT复合材料为有源层，将ITO基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力不大于3×10^-4Pa下，在ITO基片温度为室温的条件下，以小于0.2nm/秒的沉积速率蒸镀n型有机半导体p-6p，再以不大于0.2nm/秒的沉积速率蒸镀p型有机半导体C8-BTBT；

步骤4、源漏电极的制备：用金作为源漏电极，在真空压力不大于3×10^-4Pa下，在基片温度为室温的条件下，以小于0.2nm/秒的速率蒸镀金作为电极，制得OFET管。

4.根据权利要求3所述OFET管的方法，其特征是，在步骤2中，所述退火温度为120℃。