[发明专利]一种高频晶体振荡器在审
| 申请号： | 201711104546.1 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107666284A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 何超 | 申请（专利权）人： | 广东圣大电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03L1/04 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 孔凡亮 |
| 地址： | 528308 广东省佛山市顺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 晶体振荡器 | ||
1.一种高频晶体振荡器，包括产生振荡信号的晶体振荡器，其特征在于：还包括至少两级倍频放大电路和整形匹配电路；所述的倍频放大电路包括将振荡信号进行倍频的倍频电路、对倍频电路输出信号进行滤波的第一带通滤波电路，对带通滤波电路输出的倍频振荡信号进行放大的放大电路；最后一级倍频放大电路中的放大电路输出信号经过整形匹配电路整形匹配以后输出。
2.根据权利要求1所述的高频晶体振荡器，其特征在于：所述的晶体振荡器包括单片机、PLL电路、高稳恒温晶振模块、超低噪声恒温晶振模块；在单片机控制下，PLL电路中的数字频率合成器以高稳定恒温晶振输出频率作为参考频率信号，以超低噪声恒温晶振模块输出频率作为本振输入频率合成形成振荡信号。
3.根据权利要求2所述的高频晶体振荡器，其特征在于：所述的高稳恒温晶振模块由考匹兹三极管振荡电路组成，包括设置在高精密恒温槽内低频SC切晶体和三极管Q1、电容C1、电容C2、电阻RB、电阻RE；所述的低频SC切晶体两端分别接三极管Q1的基极和地，电阻RE设置在三极管Q1的集电极与基极之间，电容C2设置在三极管Q1的基极与发射极之间，电容C1和电阻RE并联设置在三极管Q1的发射极与地之间，三极管Q1的发射极形成振荡信号输出。
4.根据权利要求2所述的高频晶体振荡器，其特征在于：所述的超低噪声恒温晶振模块由皮尔斯门振荡电路组成，包括设置在高精密恒温槽中的高频SC切晶体和反相门电路U1和反相门电路U2、电容C3、电容C4、可变电容CL、电容CS、电阻rb；所述的高频SC切晶体的一端分别与电容C3和电阻rb的一端相连，同时与反相门电路U1的输入端相连，电容C3和电阻rb的另一端分别接地和反相门电路U1的输出端相连；所述的高频SC切晶体的另一端接可变电容CL的一端，可变电容CL的另一端分别接电容CS和电容C4的一端，电容C4的另一端接地，电容CS的另一端接反相门电路U1的输出端；反相门电路U1的输出端接反相门电路U2的输入端，反相门电路U2的输出端形成振荡信号输出。
5.根据权利要求1至4中任一所述的高频晶体振荡器，其特征在于：所述的倍频放大电路包括型号为AMK_2_13的倍频器和型号为UPC2771TB的RF放大器。
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