[发明专利]液晶显示元件、显示装置

说明书

本发明为一种提高透过率的液晶显示元件及显示装置。本发明的液晶显示元件包括：第1基板；第2基板，与所述第1基板相对向；液晶层，密封于所述第1基板与所述第2基板之间，并含有液晶组合物；以及第2电极，在所述第2基板的对向面与所述液晶层之间层叠多层；所述液晶组合物具有负的介电各向异性。本发明的液晶显示元件通过包括多层第2电极，可增强电场，使液晶化合物的取向均匀。

该申请基于2016年10月28日在日本提出申请的日本专利特愿2016-212356号、及2017年7月20日在日本提出申请的日本专利特愿2017-141160号，其内容作为本申请的内容而形成本申请的内容的一部分。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示元件及显示装置。特别是涉及一种含有介电各向异性为负的液晶组合物，且具有IPS、VA、FFS、FPA等模式的液晶显示元件。本发明也涉及一种聚合物稳定取向型的液晶显示元件。

背景技术

液晶显示元件中，基于液晶分子的运作模式的分类为相变(phase change，PC)、扭转向列(twisted nematic，TN)、超扭转向列(super twisted nematic，STN)、电控双折射(electrically controlled birefringence，ECB)、光学补偿弯曲(opticallycompensated bend，OCB)、面内切换(in-plane switching，IPS)、垂直取向(verticalalignment，VA)、边缘场切换(fringe field switching，FFS)、电场感应光反应取向(field-induced photo-reactive alignment，FPA)、紫外线感应多域垂直取向(ultra-violet induced multidomain vertical alignment，UV2A)等模式。基于元件的驱动方式的分类为无源矩阵(passive matrix，PM)与有源矩阵(active matrix，AM)。PM被分类为静态式(static)、多路复用式(multiplex)等，AM被分类为薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)、金属-绝缘体-金属(metal insulator metal，MIM)等。TFT的分类为非晶硅(amorphous silicon)及多晶硅(polycrystal silicon)。后者根据制造步骤而分类为高温型与低温型。基于光源的分类为利用自然光的反射型、利用背光的透过型、以及利用自然光与背光两者的半透过型。

液晶显示元件含有具有向列相的液晶组合物。该组合物具有适当的特性。通过提高该组合物的特性，可获得具有良好的特性的AM元件。将两种特性中的关联汇总于下述表1中。基于市售的AM元件来进一步说明组合物的特性。向列相的温度范围与元件可使用的温度范围相关联。向列相的优选的上限温度为约70℃以上，而且向列相的优选的下限温度为约-10℃以下。组合物的粘度与元件的响应时间相关联。为了在元件中显示动态影像，优选响应时间短。响应时间即使只减短1毫秒也好。因而，优选为组合物的粘度小。进而优选为低温下的粘度小。

表1.组合物与AM元件的特性