[发明专利]一种满足感性负载频繁通断的正弦波电源及其方法

权利要求书

1.一种满足感性负载频繁通断的正弦波电源，其特征在于，包括

正弦波生成模块：采用DDS数字频率合成技术产生需要频率的正弦波信号并发送给正弦波信号调理电路；

正弦波信号调理电路：将正弦波生成模块产生的正弦波信号中的直流分量去除，将正弦波信号的幅值进行放大，变化得到两组幅值相同且相位相差180°的正弦波信号，然后依次传递给后面D类功放电路1和D类功放电路2进行处理；

D类功放电路：包括D类功放电路1和D类功放电路2，D类功放电路1用于功率放大，两组幅值相同且相位相差180°的正弦波信号中的一路信号，然后将处理后的信号传递给感性负载；D类功放电路2用于功率放大，两组幅值相同且相位相差180°的正弦波信号中的另一路信号，然后将处理后的信号传递给感性负载；

D类功放电路1和D类功放电路2相同，包括比较器A、MOSFET管、电感L、接地电容C和接地电阻R，比较器A的同相输入端连接正弦波信号调理电路的输出端，比较器A的反相输入端连接频率固定的三角波，比较器A的输出端连接MOSFET管的端口1，MOSFET管的端口2连接电源VDD，MOSFET管的端口3和端口4同时连接电感L一端，电感L另一端同时连接接地电容C和接地电阻R，MOSFET管的端口5连接电源—VDD；

供电电源：为设备提供正弦波逆变电源信号，供电电源为电源VDD、—VDD；

大感性负载：具有频繁接通与断开功能;

所述MOSFET管包括NMOS管和PMOS管，其中，MOSFET管的端口1为NMOS管和PMOS管的控制端，MOSFET管的端口4为NMOS管的漏极，MOSFET管的端口5为NMOS管的源极，MOSFET管的端口2为PMOS管的源极，MOSFET管的端口3为PMOS管的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种满足感性负载频繁通断的正弦波电源，其特征在于，所述的正弦波生成模块包括AD9833EP芯片、电容C22、电容C24和电容C27，在AD9833EP芯片的端口COMP和端口VDD之间连接电容C24，在AD9833EP芯片的端口VDD和端口DGND之间连接电容C27，端口CAP/2.5V连接下拉电容C23和下拉电容C22，端口VDD连接电源VCC，端口DGND和端口AGND均接地，端口VOUT连接信号输出端VOUT。

3.根据权利要求1所述的一种满足感性负载频繁通断的正弦波电源，其特征在于，所述正弦波信号调理电路包括运算放大器U1A、U1B、U1C、电阻R32到电阻R44、电容C19、电容C20、电容C21、电容C25、电容C26、电容C27和稳压二极管Q6，所述运算放大器U1A的同相输入端连接下拉电阻R39，运算放大器U1A的反相输入端和运算放大器U1B的输出端之间连接电阻R41，运算放大器U1A的输出端和U1A的反相输入端之间还连接电阻R44；运算放大器U1B的反相输入端和输出端之间还连接电阻R38，在电阻R38上并联电容C20，运算放大器U1B的反相输入端连接电阻R37一端，电阻R37另一端为信号输出端，运算放大器U1B的同相输入端同时连接下拉电容C19和下拉电阻R35，在运算放大器U1B的同相输入端和运算放大器U1C的输出端之间连接电阻R36；运算放大器U1C的同相输入端连接电阻R40一端，电阻R40另一端连接信号输入端，信号输入端还连接下拉电容C25，运算放大器U1C的反相输入端和输出端之间连接电阻R43，电阻R43两端并联电容C27，运算放大器U1C的反相输入端还连接下拉电阻R42，运算放大器U1C的电源端口同时连接下拉电容C21和电源VCC，运算放大器U1C的接地端口连接下拉电容C26和电源-VCC；电阻R32、电阻R33和电阻R34依次串联连接，电阻R32一端还连接电源VCC，电阻R34接地，电阻R33和电阻R32的公共连接端还连接信号端口，信号端口还连接稳压二极管Q6的负极端口，稳压二极管Q6的正极端口接地，稳压二极管Q6的稳压基准端口连接电阻R33和电阻R34的公共连接端。

4.根据权利要求1所述的一种满足感性负载频繁通断的正弦波电源，其特征在于，所述接地电容C为MKP薄膜电容。