[发明专利]一种基于孔喉结构与电阻率的流体识别方法有效
申请号: | 201710761844.1 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN109424363B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李辉;王小明;吴剑锋;杨少欣;丁一;马晓静 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气股份有限公司 |
主分类号: | E21B49/08 | 分类号: | E21B49/08 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 董亚军 |
地址: | 100007 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 喉结 电阻率 流体 识别 方法 | ||
1.一种基于孔喉结构与电阻率的流体识别方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取多个样本储层的核磁共振T2谱曲线、电阻率曲线和流体性质;
根据每个样本储层的所述核磁共振T2谱曲线,获得该样本储层的孔喉结构;根据所述每个样本储层的所述电阻率曲线,获得该样本储层的电阻率;
根据所述多个样本储层的所述流体性质、所述孔喉结构和所述电阻率,建立基于孔喉结构与电阻率的流体识别图版;
获取待测储层的孔喉结构与电阻率,根据所述基于孔喉结构与电阻率的流体识别图版,得到所述待测储层的流体性质;
所述根据每个样本储层的所述核磁共振T2谱曲线,获得该样本储层的孔喉结构包括:
根据所述每个样本储层的所述核磁共振T2谱曲线,将该样本储层的孔喉确定为大孔、中孔和小孔中的一种或多种;
根据该样本储层的所述大孔、中孔和小孔所占比例,获得该样本储层的所述孔喉结构;
所述根据该样本储层的所述大孔、中孔和小孔所占比例,获得该样本储层的所述孔喉结构包括:获取该样本储层的总孔隙度;且
当所述总孔隙度小于预设阈值时,所述孔喉结构以该样本储层的所述小孔所占比例表示;
当所述总孔隙度不小于预设阈值时,所述孔喉结构以该样本储层的所述大孔所占比例与所述中孔所占比例的差表示。
2.根据权利要求1所述的流体识别方法,其特征在于,所述根据所述每个样本储层的所述核磁共振T2谱曲线,将该样本储层的孔喉确定为大孔、中孔和小孔中的一种或多种包括:
当所述核磁共振T2谱曲线上对应的时段小于32ms时,将该样本储层的对应段的孔喉确定为小孔;
当所述核磁共振T2谱曲线上对应的时段在32ms和128ms之间时,将该样本储层的对应段的孔喉确定为中孔;
当所述核磁共振T2谱曲线上对应的时段大于128ms时,将该样本储层的对应段的孔喉确定为大孔。
3.根据1-2任一项权利要求所述的流体识别方法,其特征在于,所述流体性质为油层、油水层或水层。
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