[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池在审
| 申请号： | 201710498727.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148609A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄孝如 | 申请（专利权）人： | 海门市绣羽工业设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化镓 砷化镓太阳能电池 电极接触层 防反射层 砷化铝镓 背电场 窗口层 衬底 光电转换效率 防反射结构 太阳能电池 层叠设置 电极 反射 | ||
1.一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓太阳能电池依次包括：
砷化镓衬底；
位于砷化镓衬底上的背电场层；
位于背电场层上的砷化镓p-n结，所述砷化镓p-n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；
位于砷化镓p-n结上的砷化铝镓窗口层；
位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；
位于电极接触层上的防反射层；
以及，位于电极接触层上的若干电极。
2.根据权利要求1所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述防反射层包括第一防反射层和第二防反射层，所述第一防反射层位氟化镁层，第二防反射层为硫化锌层。
3.根据权利要求2所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述第一防反射层的厚度为30~50nm，第二防反射层的厚度为50~100nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓衬底与背电场层之间形成有砷化镓缓冲层。
5.根据权利要求4所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓缓冲层包括低温砷化镓缓冲层及高温砷化镓缓冲层。
6.根据权利要求5所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述低温砷化镓缓冲层的厚度为10~50nm，高温砷化镓缓冲层的厚度为50~100nm。
7.根据权利要求1所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述n型砷化镓层的厚度为1~10μm，p型砷化镓层的厚度为100~500nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
