[发明专利]一种电容去离子脱盐装置的再生机构及其再生方法在审
申请号: | 201710442039.2 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN109081402A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 郭洪飞 | 申请(专利权)人: | 郭洪飞 |
主分类号: | C02F1/469 | 分类号: | C02F1/469 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 天津市武清区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脱盐装置 电容 离子 再生机构 电极微孔 端面电极 反向电压 施加 再生 吸附效率 阴阳离子 再生效果 电场力 残留 堵塞 释放 | ||
本发明涉及一种电容去离子脱盐装置的再生机构及其再生方法,其特征在于:所述再生机构对电容去离子脱盐装置(1)的两个端面电极施加一个反向电压,促使被堵塞在电极微孔内的阴阳离子通过电场力的作用重新释放出来。本发明通过再生机构对电容去离子脱盐装置的两个端面电极施加一个反向电压,有效避免了离子在电极微孔内的残留,有效的改善了再生效果,增强了电容去离子脱盐装置吸附效率的稳定性。
技术领域
本发明涉及一种污水处理领域,尤其是涉及一种电容去离子脱盐装置的再生机构及其再生方法。
背景技术
由电容去离子技术的原理可知,当电极吸附饱和之后,需要对电极对进行再生之后才能进入下一周期的工作,使吸附在电极内部和表面的各种离子重新脱附出来,然后随水流排出,设备由此得到再生。
目前常用的几种再生方法及流程如下:
一级再生工艺,即在电容去离子脱盐装置吸附饱和并短接放电完毕之后,仅采用原水对脱盐设备进行反洗的再生方法,反洗出水直接外排,特点是反洗水量小,再生效果一般,产水率一般;(原水即需要处理的水源,再生过程中所使用的用来冲洗脱盐设备的水都称之为反洗水,因此反洗用水可包括原水、中水以及浓水,反洗时的出水都称之为反洗出水或再生出水)。
二级再生工艺,即在电容去离子脱盐装置吸附饱和并短接放电完毕之后,采用中水反洗+原水反洗,中水反洗时出水较浓直接外排,原水反洗时出水浓度有所降低,此出水排到中水箱,作为下一周期中水反洗时反洗水使用,特点是反洗水量一般,反洗效果较好,产水率较高。
三级再生工艺,在电容去离子脱盐装置吸附饱和并短接放电完毕之后,采用浓水反洗+中水反洗+原水反洗,浓水反洗时出水直接外排、然后是中水反洗的出水排到浓水箱,作为下一周期的浓水反洗时的水来使用、原水反洗时出水排到中水箱,特点是反洗水量大,反洗效果好,产水率高,工艺较复杂。
四级再生工艺,采用浓水反洗+中水反洗+原水反洗+原水预排,前三个工艺流程与之前的相同,原水预排就是原水反洗然后再返回到原水箱,反洗水量更大,反洗效果最好,产水率也是最高,但是工艺更加较复杂。
一般为了保证再生效果,通常需要3级以上反洗,每个再生工艺节点均需泵、阀门、水池等,工艺复杂、投资大、控制点多,不易操作,且产水率一般只能达到75%左右。
放空再生工艺,就是在短接放电结束之后,电极内部和表面所存储的绝大部分离子都会重新释放到通道内,然后把电容去离子脱盐装置内存储的含有大量阴阳离子的浓水,通过预留的直排口直接放空,再将装置用产水补满即可。该法工艺简单,再生彻底,而且可以实现较高的产水率。
但是以上各种方法和装置虽然能够满足电容去离子脱盐装置的再生需求,但仍然不能做到完全的再生,即每次再生结束之后都会有少量的离子残留在电极微孔内部,经过长期运行之后,在电极内部存储的离子会越来越多,这不仅降低了装置的再生效果,而且使得通电工作时所能吸附的离子的量不断下降,即降低了脱盐率,在一定程度上也缩减了电容去离子技术的电极使用寿命。
发明内容
本发明设计了一种电容去离子脱盐装置的再生机构及其再生方法,其解决的技术问题是现有电容去离子脱盐装置的再生时,在电极内部存储的离子会越来越多,这不仅降低了装置的再生效果,而且使得通电工作时所能吸附的离子的量不断下降,即降低了脱盐率,在一定程度上也缩减了电容去离子技术的电极使用寿命。
为了解决上述存在的技术问题,本发明采用了以下方案:
一种电容去离子脱盐装置的再生机构,其特征在于:所述再生机构对电容去离子脱盐装置(1)的两个端面电极施加一个反向电压,促使被堵塞在电极微孔内的阴阳离子通过电场力的作用重新释放出来。
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