[发明专利]基于分子磁体的低温磁制冷材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201710408213.1 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN108987026B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 安璐璐;崔岩;李艳荣;宋小会;王云平 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01F1/42 分类号: H01F1/42;H01F41/02;C30B29/54;C30B7/04;C09K5/14
代理公司: 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 代理人: 刘丹妮
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 分子 磁体 低温 制冷 材料 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供了一种基于分子磁体的低温磁制冷材料,及其制备方法和应用。分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]以其较低的阻塞温度和良好的空气稳定性,可以应用于液氦温区的磁制冷;其次,通过控制外加磁场,使分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]在特征温度TO附近,分别表现出正常磁热效应或反磁热效应,可以大大提高磁制冷循环的效率。也可利用分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]的反磁热效应,用做热沉来冷却常规磁制冷材料的磁化发热。

技术领域

本发明属于材料科学领域,具体涉及一种基于分子磁体的低温磁制冷材料,及其制备方法和应用。

背景技术

磁致热效应(MCE)最早由E.Warburg在1881年提出,基于该效应的磁制冷技术,以其环境友好性和较高的循环效率,被认为是传统的蒸汽循环制冷技术的有效替代方法。原理可以描述为,对于磁性介质,体系的总熵由两部分构成,即与外加磁场有关的磁熵SM和与外加磁场无关的晶格熵 SLatt。如果在绝热条件下对体系施加一个外加磁场,磁矩将倾向于沿着磁场方向排列,能级的简并度减小,导致磁熵SM降低,而体系的总熵STotal保持恒定,因此晶格熵SLatt将会增加,引起体系的温度升高,这部分热量可以传导至空气中被抽走,当撤去磁场时,磁矩重新变的混乱,磁熵SM升高,晶格熵SLatt降低,从而使体系温度降低。通过控制外加磁场,将等温磁化和绝热去磁过程结合起来,可以使磁性介质一端吸热而在另一端放热,从而实现制冷目的。

表征材料的磁热效应主要有两个参数,绝热去磁过程中温度变化量ΔTad和等温磁熵变ΔSM。目前研究较多的Gd系化合物及其合金,通常具有较显著的磁热效应,然而该元素在地壳中的稀缺,制约了其大规模的应用。科研人员们在寻找巨磁热效应材料的过程中发现,在一些Heusler合金体系中,会出现施加一个磁场,体系的磁熵增加的情况,即反磁热效应(Inverse MCE)。利用反磁热效应,可以通过控制外加磁场,在制冷循环中,磁化和去磁过程均能使体系的温度降低,可以大大提高磁制冷效率。普遍认为反磁热效应通常存在于一些一级磁相变体系中,比如反铁磁到亚铁磁的转变、线性反铁磁到非线性反铁磁的转变以及反铁磁到铁磁的转变,这些体系大多工作于较高的温区,多是针对室温制冷。

而在液氦温区的磁制冷领域,分子磁体以其较低的阻塞温度,被认为具有很大的应用潜力,可以用来改善日益缺乏的液氦资源现状。分子磁体是一类特殊的有机金属化合物,其晶体由大量全同的分子磁体分子按照一定的结构排列组成,因此晶体的磁性质可以由单个分子来表征。目前广泛研究的分子磁体主要集中于以Mn12、Fe8为代表的无分子间相互作用体系,其磁熵变仅在阻塞温度附近发生突变,效率较低。本发明的研究对象Mn3具有反铁磁分子间相互作用,且相变温度高于阻塞温度,通过调节外加磁场,可以具有正常磁热效应或反磁热效应,适用于液氦温区的磁制冷领域,也可用做热沉来冷却常规磁制冷材料的磁化发热。

发明内容

因此,本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷,提供一种基于分子磁体的低温磁制冷材料,及其制备方法和应用。

在阐述本发明的技术方案之前,定义本文中所使用的术语如下:

术语“分子磁体”是指:单个分子可以表现出整个宏观晶体磁性质的一类金属化合物。对单个分子而言,一般由过渡族金属离子组成的磁性核心和C、H、O、N等元素组成的有机骨架构成,每个分子可以看做一个大的自旋。

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