[发明专利]一种差分考比兹压控振荡器

权利要求书

1.一种差分考比兹压控振荡器，其特征在于，包括：第一负阻电路、第二负阻电路、负阻增强电路以及谐振电路；所述谐振电路为电感电容并联谐振结构，决定振荡器的振荡频率；所述第一负阻电路和第二负阻电路用于产生负阻，以抵消谐振电路的阻性损耗，从而产生稳定的振荡输出；所述负阻增强电路用于提高振荡器的负阻，降低起振难度；

所述第一负阻电路的第一端与负阻增强电路的第五端连接，第一负阻电路的第二端与谐振电路的第一端连接；所述谐振电路的第二端与第二负阻电路的第二端连接，谐振电路的第三端接电源V_DD，谐振电路的第四端接频率调谐电压；所述第二负阻电路的第一端与负阻增强电路的第五端连接；所述第一负阻电路的第三端与负阻增强电路的第一端连接，第一负阻电路的第二端与负阻增强电路的第二端连接；所述第二负阻电路的第三端与负阻增强电路的第三端连接，第二负阻电路的第二端与负阻增强电路的第四端连接；所述负阻增强电路的第五端接地；

所述第一负阻电路包括：第一NMOS晶体管、第一电容以及第二电容；所述第一NMOS晶体管的栅极作为第一负阻电路的第二端，第一NMOS晶体管的漏极接电源V_DD，第一NMOS晶体管的源极与第一电容的第一端连接；所述第一NMOS晶体管的源极与第一NMOS晶体管的体端连接，共同作为第一负阻电路的第三端；所述第一电容的第二端与第一NMOS晶体管的栅极连接；所述第一NMOS晶体管的源极还与第二电容的第一端连接；所述第二电容的第二端作为第一负阻电路的第一端；

所述第二负阻电路包括：第二NMOS晶体管、第三电容以及第四电容；所述第二NMOS晶体管的栅极作为第二负阻电路的第二端，第二NMOS晶体管的漏极接电源V_DD，第二NMOS晶体管的源极与第三电容的第一端连接；所述第二NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的体端连接，共同作为第二负阻电路的第三端；所述第三电容的第二端与第二NMOS晶体管的栅极连接；所述第二NMOS晶体管的源极还与第四电容的第一端连接；所述第四电容的第二端作为第二负阻电路的第一端；

所述负阻增强电路包括：第三NMOS晶体管与第四NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管的漏极作为负阻增强电路的第一端，第三NMOS晶体管的栅极作为负阻增强电路的第四端；所述第三NMOS晶体管的源极与第四NMOS晶体管的源极连接，共同作为负阻增强电路的第五端；所述第三NMOS晶体管的体端与第四NMOS晶体管的漏极连接；所述第四NMOS晶体管的漏极作为负阻增强电路的第三端，第四NMOS晶体管的栅极作为负阻增强电路的第二端；所述第四NMOS晶体管的体端与第三NMOS晶体管的漏极连接；

第三NMOS晶体管体端被第二NMOS晶体管的源极电压动态偏置，第四NMOS晶体管体端被第一NMOS晶体管的源极电压动态偏置。

2.根据权利要求1所述的一种差分考比兹压控振荡器，其特征在于，所述谐振电路包括：第一电感、第二电感、第一变容器以及第二变容器；所述第一变容器的第一端与第一电感的第一端连接，共同作为谐振电路的第一端用于输出第一振荡信号；所述第一电感的第二端与第二电感的第一端连接，共同作为谐振电路的第三端；所述第二电感的第二端与第二变容器的第一端连接，共同作为谐振电路的第二端用于输出第二振荡信号；所述第二变容器的第二端与第一变容器的第二端连接，共同作为谐振电路的第四端。