[发明专利]超高速SAR数据记录仪以及数据记录方法在审
申请号: | 201710355327.4 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN108958638A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 洪瀑;胡刘洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据记录 现场可编程门阵列 工控计算机 数据记录仪 工控主板 驱动程序 超高速 内部寄存器 驱动 存储单元 存储介质 读写功能 缓存单元 记录容量 控制核心 控制软件 乒乓缓存 桥接芯片 驱动数据 软件模块 生产过程 数据传输 硬件设备 原始数据 采集卡 固态盘 读入 硬核 | ||
本发明提供了一种超高速SAR数据记录仪,包括:工控计算机,其控制核心为工控主板,其具有4至8路独立的高速PCIe 3.0接口;现场可编程门阵列,作为PCIe的桥接芯片,与工控计算机通过PCIe接口进行数据传输,包括:内部寄存器、DMA控制器以及PCIe硬核;2组独立的缓存单元,与现场可编程门阵列相连接,作为SAR原始数据的乒乓缓存单元;存储介质,与工控主板相连接,作为存储单元,实现数据记录;以及驱动和软件模块,包括:第一驱动程序,用于驱动数据采集卡硬件设备运行;第二驱动程序,用于驱动固态盘实现读写功能;以及数据记录控制软件,进行DMA读入过程的控制和数据记录。本发明有助于提高数据记录速度和记录容量、可靠性高,简化了生产过程、成本低。
技术领域
本发明属于合成孔径雷达原始数据记录领域,涉及一种超高速SAR数据记录仪以及数据记录方法。
背景技术
合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)是一种高分辨率微波成像雷达,在民用领域中的国土测量、环境及灾害监视、海洋观测、海面污染物监测、地形测绘、资源勘探、星际测量等方面都具有十分重要的作用,具有全天时、全天候、分辨率不受载体平台高度影响等优点。
SAR数据记录仪是机载合成孔径雷达的一个重要组成部分,一般用于记录数据形成分机产生的原始数据,以及图像数据等,这些数据包含SAR系统在在测绘飞行中的全部状态信息,因此,无论是对于后续的精细成像,还是对于SAR系统本身进行分析都是必不可少的。
SAR数据记录仪使用的环境一般为带飞载机,对温度、震动等有着较高的要求,并且SAR原始数据具有数据率高,数据容量大的特点,这就要求设计研制的SAR数据记录仪具有超高速,大容量,在合理的温度、震动范围内具有可靠的性能。而目前对SAR数据记录仪的研制一方面需要根据雷达的具体工作参数进行定制,成本很高;另一方面,基于多路并行化技术设计的SAR数据记录仪的数据速率较难达到1GBps或者以较大的复杂度为待机来获得超过1GBps的速度,提升空间有限,基于分立FLASH芯片的数据记录仪在生产过程中往往要对每个FLASH芯片进行可靠性测试以及疲劳测试,生产工艺繁琐、费时。因此,需要解决如下技术问题:提出一种SAR数据记录仪,提高其记录速度、记录容量以及可靠性,并降低其生产复杂度和生产工作量,简化生产工艺和成本。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明提供了一种超高速SAR数据记录仪以及数据记录方法,以至少部分解决以上所提出的技术问题。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面,提供了一种超高速SAR数据记录仪,包括:工控计算机100,其控制核心为工控主板110,该工控主板110具有4至8路独立的高速PCIe 3.0接口;现场可编程门阵列FPGA200,作为PCIe的桥接芯片,与工控计算机100通过PCIe接口进行数据传输,包括:内部寄存器210、DMA控制器220以及PCIe硬核230;2组独立的缓存单元,与现场可编程门阵列FPGA200相连接,作为SAR原始数据的乒乓缓存单元;存储介质400,与工控主板相连接,作为SAR原始数据流的存储单元,实现数据记录;以及驱动和软件模块500,包括:第一驱动程序510,由专用驱动程序开发工具包生成,用于驱动数据采集卡硬件设备运行;第二驱动程序520,采用固态盘自带的高速驱动,用于驱动固态盘实现读写功能;以及数据记录控制软件530,进行DMA读入过程的控制和数据记录。
在本发明的一个实施例中,现场可编程门阵列FPGA 200与工控主板110之间的数据交互速率不低于4GBps;内部寄存器210,配置为锁存器,在时钟的上升沿将数据锁存于内部寄存器中;DMA控制器220,是基于现场可编程门阵列FPGA开发软件生成的数据读取功能控制模块,用于控制数据在缓存和工控计算机的内存之间的读取过程;缓存单元为DDR缓存300。
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