[发明专利]一种具有释放负离子功能的陶瓷砖及其制备方法

权利要求书

1.一种具有释放负离子功能的陶瓷砖，其特征在于：自下而上依次为砖坯层、透明釉层、凹陷釉料层和负离子材料层，所述凹陷釉料层在烧成时与透明釉层反应在透明釉层上形成凹槽结构，所述负离子材料层覆盖在所述凹槽表面，所述凹槽结构的宽度范围为0.8～1.8mm，平均深度范围为0.15～0.18mm，所述负离子材料层由经稀土元素掺杂的电气石材料形成，所述透明釉层的釉料按重量百分比计包括如下原料组分：长石20～30％、霞石15～25％、石英15～20％、方解石6～15％、白云石10～15％、BaCO₃ 13～16％、高温熔块5～12％和氧化锌4～8％。

2.根据权利要求1所述的一种具有释放负离子功能的陶瓷砖，其特征在于，所述透明釉层的釉料的化学成分按重量百分比计为：40～50％的SiO₂、5～10％的Al₂O₃、0.1～0.3％的Fe₂O₃、0～0.2％的TiO₂、8～12％的CaO、2.5～3.5％的MgO、2～4％的K₂O、1～3％的Na₂O、12～15％的BaO、4～8％的ZnO和10～15％的烧失。

3.一种如权利要求1或2所述的具有释放负离子功能的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)在经前处理后的砖坯层上布施透明釉料，得透明釉层；

2)在透明釉层的同一位置上依次布施凹陷釉料和负离子材料，后经烧成凹陷釉与透明釉反应形成凹槽结构和覆盖在凹槽表面的负离子材料层。

4.根据权利要求3所述的一种具有释放负离子功能的陶瓷砖的制备方法，其特征在于：步骤2)的负离子材料的粒径小于40μm。

5.根据权利要求3所述的一种具有释放负离子功能的陶瓷砖的制备方法，其特征在于：步骤2)烧成过程中的温度为1180～1230℃。

6.根据权利要求3所述的一种具有释放负离子功能的陶瓷砖的制备方法，其特征在于：步骤1)的前处理包括对砖坯层表面进行清理、布施面釉和印花。