[发明专利]PTAT电流源在审
申请号: | 201710342034.2 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107422777A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 何力 | 申请(专利权)人: | 四川和芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ptat 电流 | ||
1.一种PTAT电流源,其特征在于,包括电压产生单元、运算放大器、电阻及电流镜像单元,一外部电压输入至所述电压产生单元,所述电压产生单元产生一正比于绝对温度的电压并输入至所述运算放大器的反相输入端,所述运算放大器的正相输入端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端接地,所述电流镜像单元分别与所述运算放大器的输出端及电阻的一端连接,以镜像流过所述电阻的电流,并输出PTAT电流。
2.如权利要求1所述的PTAT电流源,其特征在于,所述电压产生单元包括第一场效应管与第二场效应管,外部电压输入所述第一场效应管的漏极,第二场效应管的源极接地,所述第一场效应管的栅极、源极及第二场效应管的栅极、漏极共同连接并与所述运算放大器的反相输入端连接,以将生成的正比于绝对温度的电压输入至所述运算放大器的反相输入端。
3.如权利要求2所述的PTAT电流源,其特征在于,所述第一场效应管与第二场效应管为具有相同结构特征的N型场效应管。
4.如权利要求1所述的PTAT电流源,其特征在于,所述电流镜单元包括第三场效应管与第四场效应管,所述第三场效应管与第四场效应管的源极均与外部电源连接,所述第三场效应管与第四场效应管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接,所述第三场效应管的漏极与所述电阻的一端连接,所述第四场效应管的漏极输出PTAT电流。
5.如权利要求4所述的PTAT电流源,其特征在于,所述第三场效应管及第四场效应管均为P型场效应管。
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