[发明专利]基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头有效
| 申请号： | 201710331805.8 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107247243B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘月明;施阳阳;韩晓红 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 超磁致 伸缩 效应 十字 微悬桥 光纤 磁场 传感 探头 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头，包括：光纤(1)、对称固支端(2)、具有中间反射体的十字微悬桥(3)、铬金属膜(4)、超磁致伸缩薄膜(5)，其特征是十字微悬桥位(3)于光纤(1)端面，十字微悬桥(3)长度为95μm-105μm，其中中间反射体长为30μm-40μm，宽为30μm-40μm，微悬桥厚度为3μm-5μm，对称固支端(2)长度为10μm-15μm，高为5μm-10μm，对称固支端(2)宽度与十字微悬桥(3)的宽度相同，为15μm-25μm，十字微悬桥(3)与光纤(1)端面通过对称固支端(2)连接，并且构成法布里-珀罗谐振腔，形成光纤一体化结构，十字微悬桥(3)外表面依次镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜，铬金属膜厚度为30nm-50nm，超磁致伸缩薄膜材料为TbDyFe材料，厚度为1μm-1.5μm。
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