[发明专利]基于光敏BCB键合的RFMEMS开关封装结构及其封装方法

权利要求书

1.基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装结构，包括有硅衬底，其特征在于：所述硅衬底上分布有RF MEMS开关组件，所述RF MEMS开关组件的外围分布有衔接层，所述衔接层上分布有键合层，所述键合层上加盖有封盖，所述封盖内分布有腔体。

2.根据权利要求1所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装结构，其特征在于：所述衔接层为氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为50至100nm。

3.根据权利要求1所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装结构，其特征在于：所述键合层为光敏BCB，所述光敏BCB的厚度为5至10μm。

4.基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一，选择合适的材料作为封装盖板材料；

步骤二，封装盖板与硅衬底进行对准键合；

步骤三，获取单独封装个体。

5.根据权利要求4所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤一中，选择硅片作为封装盖板的材料，旋涂BCB粘附剂后，进而旋涂光敏BCB，固化得到厚度为5至10μm的光敏BCB层，旋涂光刻胶，光刻后得到覆盖在光敏BCB上的光刻胶，制作封装的腔体结构，最终得到成形的封装盖板。

6.根据权利要求5所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤一中，硅片在旋涂光敏BCB前，需进行清洗，所述清洗过程为，采用浓硫酸：过氧化氢＝4:1的溶液中浸泡5至15min，用去离子水冲洗干净，再用氮气吹干。

7.根据权利要求5所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤一中，通过ICP深硅刻蚀机，刻蚀时间为1至3min，采用的刻蚀气体为六氟化硫，采用的钝化气体为和氧气，刻蚀温度为15至25℃，制作出封装的腔体结构，将光刻胶显影后，得到成形的封装盖板。

8.根据权利要求5所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤二中，将盖板与硅衬底的键合标记对准并夹持固定，送入键合机中进行键合，释放夹具，在待键合的硅片上施加1000至3000mbar的压力，升温至260至280℃的BCB固化温度，使光敏BCB逐渐固化，在固化温度下保温1至3h，缓慢降温冷却至室温，取出键合片。

9.根据权利要求5所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤二中，键合温度采用阶梯式升温方式，升温至100℃，保温保压至少2min后，抽出固定夹具。

10.根据权利要求5所述的基于光敏BCB键合的RF MEMS开关封装方法，其特征在于：所述步骤三中，在键合完成的圆片上旋涂AZ4620光刻胶，在光刻显影后进行ICP刻蚀，刻蚀至100至300μm深度的腔体后进行划片，得到单独的封装个体。