[发明专利]一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种植物组织培养技术领域，尤其涉及一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法。

背景技术

甘薯是一种分布广、产量高的块根作物，也是重要的粮食、饲料和工业原料，甘薯是利用块根和茎蔓繁殖的作物，极易受到病毒的继代传染，感染了病毒的甘薯苗会导致甘薯品种退化、单产下降，同时会造成巨大的经济损失，因此，解决防治甘薯病毒病的根本措施是进行茎尖剥离培育脱毒苗。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法。

本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；

(2)剪取生长健壮、长度为6～7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1～2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；

(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6～0.8mm的茎尖分生组织；

(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500～2800lux，采用LED灯照射8～12h/d；

(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，继续培养15～18天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；

(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8～10h/d，5～6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。

特别的，所述步骤(2)的消毒处理方法为：先将甘薯茎尖用60～65％的乙醇浸泡60s，然后再用1～1.4％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可。

特别的，所述步骤(5)和步骤(6)中的MS基本培养基的pH值为6.2。

本发明的有益效果是：本发明在甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的步骤中，对甘薯茎尖进行了消毒处理并在超净工作台中对茎尖进行剥离，减少了甘薯茎尖感染病毒，本发明实现了甘薯茎尖剥离培育脱毒苗，有效防止了甘薯品种的退化，提高了甘薯的单产与质量，同时减少了因甘薯病毒病而造成的经济损失。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明：

实施例1

一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，包括如下步骤：

(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；

(2)剪取生长健壮、长度为6cm的甘薯茎尖进行消毒处理，先将甘薯茎尖用65％的乙醇浸泡60s，然后再用1％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；

(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6mm的茎尖分生组织；

(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射12h/d；

(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，MS基本培养基的pH值为6.2，继续培养15天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；

(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，MS基本培养基的pH值为6.2，培养温度为25℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8h/d，6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。

实施例2

一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，包括如下步骤：

(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；

(2)剪取生长健壮、长度为7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，先将甘薯茎尖用60％的乙醇浸泡60s，然后再用1.4％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；

(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.8mm的茎尖分生组织；

(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为28℃，光照强度为2800lux，采用LED灯照射8h/d；