[发明专利]电子元器件

说明书

本发明提供一种能得到高Q值的电子元器件。层叠体(12)是层叠多个绝缘体层(16a～16j)而构成。线圈(L1)是内置于层叠体(12)的线圈，该线圈(L1)具有线圈轴(X1)，且绕线圈轴(X1)的周围沿逆时针盘旋地朝z轴方向的正方向侧行进。线圈(L2)是与线圈(L1)相连接、且内置于层叠体(12)的线圈，该线圈(L2)具有线圈轴(X2)、且绕线圈轴(X2)的周围沿逆时针盘旋地朝z轴方向的负方向侧行进。在从z轴方向俯视时，线圈轴(X1)位于线圈(L2)的内部，线圈轴(X2)位于线圈(L1)的内部。

本发明申请是申请号为200980128275.0，申请日为2009年6月22日，名称为“电子元器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及电子元器件，更特定而言，涉及内置有线圈的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的层叠型线圈元器件。在该层叠型线圈元器件中，层叠多个绝缘性生片而构成长方体形状的层叠体。在所述多个绝缘性生片上设置有线圈用导体。该线圈用导体通过过孔相互连接，从而构成螺旋状的线圈。此外，以覆盖层叠体的两个侧面的方式设置两个端子电极，在该两个端子电极之间连接有该螺旋状的线圈。

然而，在专利文献1所记载的层叠型线圈元器件中，由于端子电极设置成覆盖层叠体的侧面，因此，在垂直于层叠方向的方向上靠近各线圈用导体排列。因此，在线圈用导体与端子电极之间会产生寄生电容。若产生寄生电容，则产生如下问题：线圈的谐振频率下降，在使用线圈的频率下，Q值下降。所以，在层叠型线圈元器件中，产生寄生电容成为使内置有线圈的电子元器件的Q值下降的原因。

作为能抑制上述那样的产生寄生电容的电子元器件，例如，举出图7所示的具有LGA(Land Grid Array：接点栅格阵列)结构的电子元器件500。图7是电子元器件500的分解立体图。下面，将电子元器件500的层叠方向定义为z轴方向，将沿电子元器件500的长边的方向定义为x轴方向，将沿电子元器件500的短边的方向定义为y轴方向。x轴、y轴、及z轴相互正交。

电子元器件500包括层叠体502、外部电极506a、506b、以及线圈L501、L502。层叠体502通过将长方形的绝缘体层504a～504i进行层叠而构成。设置在绝缘体层504d～504h上的线圈电极508a～508e通过过孔导体B相连接，从而构成线圈L501。此外，设置在绝缘体层504d～504h上的线圈电极510a～510e通过过孔导体B相连接，从而构成线圈L502。此外，线圈电极508a和线圈电极510a相连接，从而将线圈L501和线圈L502相连接。

此外，外部电极506a、506b分别形成于层叠体502的z轴方向的负方向侧的表面，并通过线圈电极508e、510e和过孔导体B相连接。在具有以上那样的结构的电子元器件500中，由于外部电极506a、506b设置于层叠体502的z轴方向的负方向侧的表面，因此，不会靠近线圈电极508a～508d、510a～510d进行排列。所以，可抑制因外部电极506a、506b与线圈电极508a～508d、510a～510d之间产生寄生电容而导致电子元器件500的Q值下降的情况。

然而，图7所示的电子元器件500具有难以得到高Q值的问题。更详细而言，在电子元器件500中，线圈电极508、510设置成在同一绝缘体层504上各排列一个线圈电极。因此，在电子元器件500中，与在绝缘体层上设置有一个线圈电极的情况相比，线圈电极508、510的内径变小。这样，若线圈电极508、510的内径变小，则通过线圈电极508、510内的磁通的数量变少，线圈L501、L502的电感值下降。因此，为了得到所希望的电感值，需要使线圈电极508、510的长度变长，但若线圈电极508、510的长度变长，则电阻值变大，Q值下降。