[发明专利]一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪在审

专利信息
申请号: 201710129801.1 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN108535766A 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 陈立;李强;韦应靖;以恒冠;王明亮;唐智辉;方登富;赵佳辉 申请(专利权)人: 中国辐射防护研究院
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202;G01T1/208
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 任晓航;周敏毅
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 闪烁体 闪烁型 叠层 谱仪 电荷灵敏前置放大器 光电倍增管 测量 探头 使用灵活性 测量系统 辐射探测 符合电路 密封封装 外壳接触 携带方便 复杂度 光子 包覆 能谱 闪烁
【权利要求书】:

1.一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于,所述的叠层闪烁型反康普顿γ谱仪包括探头,所述的探头包括CeBr3晶体闪烁体、BGO晶体闪烁体、光电倍增管和电荷灵敏前置放大器,以及密封封装它们的外壳,

所述的CeBr3晶体闪烁体用于测量γ能谱,其除与所述的外壳接触的外侧部分外,其他外侧部分均被BGO晶体闪烁体包覆;

所述的BGO晶体闪烁体连接所述的光电倍增管和电荷灵敏前置放大器,用于测量在CeBr3晶体闪烁体中发生康普顿效应时产生的闪烁光子;

所述的光电倍增管和电荷灵敏前置放大器用于将γ射线在CeBr3晶体闪烁体中产生的闪烁光子转换为电压信号并传输给后续进一步的信号处理系统。

2.根据权利要求1所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的探头还包括和所述的光电倍增管和电荷灵敏前置放大器连接的电源接头和信号输出接口,所述的电源接头和信号输出接口穿出所述的外壳。

3.根据权利要求1所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的CeBr3晶体闪烁体为圆柱体型,一个端面与所述的外壳接触,另一个端面与侧面被所述的BGO晶体闪烁体包覆。

4.根据权利要求3所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的CeBr3晶体闪烁体的尺寸为φ(25.4-76.2)x(25.4-76.2)mm。

5.根据权利要求3所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的BGO晶体闪烁体为内部剖去一圆柱体的圆柱体形,在内部剖去的圆柱体中装填所述的CeBr3晶体闪烁体。

6.根据权利要求5所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的BGO晶体闪烁体的外形尺寸为φ(30-90)x(30-90)mm。

7.根据权利要求1所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的光电倍增管和电荷灵敏前置放大器的光阴极灵敏区的直径为25-76mm。

8.根据权利要求1所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:在所述的CeBr3晶体闪烁体和所述的BGO晶体闪烁体的接触面上涂有光学耦合剂。

9.根据权利要求1所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:在所述的BGO晶体闪烁体和所述的光电倍增管和电荷灵敏前置放大器的接触面上涂有光学耦合剂。

10.根据权利要求8或9所述的一种叠层闪烁型反康普顿γ谱仪,其特征在于:所述的光学耦合剂为硅胶、硅脂或甘油。

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