[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710104216.6 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN106896610A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 朱绎桦;李元行;蔡寿金;陈国照 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1365 | 分类号: | G02F1/1365;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示面板一般均是采用行列矩阵驱动模式,多行栅线和多列数据线交叉形成行列矩阵,然后通过像素开关实现对设置在行列矩阵中的每个像素电极的控制。
如图1所示,具体工作原理为:当栅线Gate输入高电平时,像素开关1中的第一晶体管T1和第二晶体管T2均开启,数据线Data上的信号经由第一晶体管T1、M点、第二晶体管T2和P点后到达像素电极2,从而对由像素电极2和公共电极3形成的像素电容进行充电。
但是当线Gate输入低电平时,第一晶体管T1和第二晶体管T2均关闭,M点和P点均变为浮接状态,由于漏电流的作用,像素电极2上的电位随时间变化会偏离原有的预定值,从而影响显示。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以降低像素开关的漏电流。
因此,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:基板,位于所述基板上交叉设置的栅线和数据线,位于所述栅线和数据线所限定的区域的像素开关和像素电极;其中,
所述像素开关包括双栅晶体管;且所述双栅晶体管的栅极与所述栅线相连,所述双栅晶体管中的第一晶体管与所述数据线相连,所述双栅晶体管中的第二晶体管与所述像素电极相连;
所述第二晶体管的沟道宽度小于所述第一晶体管的沟道宽度。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的上述阵列基板、显示面板及显示装置,包括:基板,位于基板上交叉设置的栅线和数据线,位于栅线和数据线所限定的区域的像素开关和像素电极;其中,像素开关包括双栅晶体管;且双栅晶体管的栅极与栅线相连,双栅晶体管中的第一晶体管与数据线相连,双栅晶体管中的第二晶体管与像素电极相连;第二晶体管的沟道宽度小于第一晶体管的沟道宽度。由于减小沟道宽度相当于载流子的通道宽度减小了,从而单位时间内通过的载流子的数量就少了,漏电流相应的就小了,而第二晶体管的沟道宽度小于第一晶体管的沟道宽度,使两个沟道呈不对称分布,这种不对称的分布可以使第二晶体管的漏电流相对减小,而第二晶体管漏电流是决定像素开关漏电流的主要原因,因此降低第二晶体管的漏电流可以降低像素开关的整体漏电流。
附图说明
图1为现有的液晶显示面板中像素开关的电路结构图;
图2a针对现有像素开关进行正充电后的P点和M点的电位仿真结果图;
图2b针对现有像素开关进行负充电后的P点和M点的电位仿真结果图;
图3为针对现有像素开关利用testkey进行实测后像素开关的漏电流测试结果图;
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的阵列基板中一种双栅晶体管的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的阵列基板中另一种双栅晶体管的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的阵列基板中另一种双栅晶体管的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
根据图1所示的液晶显示面板,当栅线Gate输入高电平时,像素开关1中的第一晶体管T1和第二晶体管T2均开启,数据线Data上的信号经由第一晶体管T1和第二晶体管T2后到达像素电极2,从而对由像素电极2和公共电极3形成的像素电容进行充电。当线Gate输入低电平时,第一晶体管T1和第二晶体管T2均关闭。由于电容的存储作用,理想状态下电容两端的电位差会保持到栅线Gate下一次输入高电平,但是实际情况为,当第一晶体管T1和第二晶体管T2均关闭时,由于漏电流的作用,像素电极2上的电位会随时间变化会偏离原有的预定值。
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