[发明专利]具有AM-AM补偿的多尔蒂功率放大器有效
申请号: | 201680016676.7 | 申请日: | 2016-02-13 |
公开(公告)号: | CN107431461B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | P·J·莱托拉 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/22;H03F1/56;H03F3/191;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/24 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 am 补偿 多尔蒂 功率放大器 | ||
1.一种功率放大系统,包括:
多尔蒂功率放大器,被配置为接收电压电源信号和射频信号,并使用所述电压电源信号生成经放大的射频信号,所述多尔蒂功率放大器包括载波放大器和峰值放大器;
载波放大器偏压电路;以及
峰值放大器偏压电路,所述峰值放大器偏压电路被配置为接收指示所述载波放大器的双极晶体管的直流基极电流的信号,并且基于所述载波放大器的所述双极晶体管的所述直流基极电流向所述峰值放大器提供峰值放大器偏压信号。
2.根据权利要求1所述的功率放大系统,还包括:输出路径,被配置为接收来自所述多尔蒂功率放大器的经放大的射频信号并将其路由到滤波器,所述输出路径没有阻抗变换电路。
3.根据权利要求2所述的功率放大系统,其中,所述载波放大器被配置为以最高可能效率操作或者接近于最高可能效率地操作。
4.根据权利要求1所述的功率放大系统,其中,所述峰值放大器偏压信号与所述载波放大器的饱和程度成比例。
5.根据权利要求1所述的功率放大系统,其中,所述峰值放大器偏压电路被配置为使得由所述载波放大器接近饱和所引起的所述载波放大器的所述双极晶体管的快速增加的基极电流被镜像到所述峰值放大器偏压电路,从而使所述峰值放大器突然接通。
6.根据权利要求1所述的功率放大系统,其中,所述载波放大器是共射共基放大器,所述双极晶体管是所述共射共基放大器的驱动晶体管。
7.根据权利要求1所述的功率放大系统,其中,所述双极晶体管是异质结双极晶体管。
8.根据权利要求1所述的功率放大系统,其中,所述载波放大器和所述峰值放大器均包括共射共基晶体管。
9.一种射频模块,包括:
封装基板,被配置为容纳多个部件;以及
功率放大系统,实现在所述封装基板上,所述功率放大系统包括多尔蒂功率放大器,所述多尔蒂功率放大器被配置为接收射频信号并生成经放大的射频信号,所述多尔蒂功率放大器包括载波放大器和峰值放大器,所述功率放大系统还包括载波放大器偏压电路和峰值放大器偏压电路,所述峰值放大器偏压电路通过耦接路径耦接到所述载波放大器和所述载波放大器偏压电路中的一个或多个,并且被配置为接收指示所述载波放大器的饱和程度的信号,以及基于指示所述载波放大器的饱和程度的所述信号向所述峰值放大器提供峰值放大器偏压信号。
10.根据权利要求9所述的射频模块,其中,所述峰值放大器偏压信号与所述载波放大器的饱和程度成比例。
11.根据权利要求9所述的射频模块,其中,所述峰值放大器偏压电路被配置为使得由所述载波放大器接近饱和所引起的所述载波放大器的双极晶体管的快速增加的基极电流被镜像到所述峰值放大器偏压电路,从而使所述峰值放大器突然接通。
12.根据权利要求9所述的射频模块,其中,所述峰值放大器偏压信号基于所述载波放大器的双极晶体管的基极电流。
13.根据权利要求9所述的射频模块,其中,所述峰值放大器偏压信号基于所述载波放大器的双极晶体管的集电极电流。
14.根据权利要求9所述的射频模块,其中,所述载波放大器和所述峰值放大器均包括共射共基晶体管。
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