[发明专利]一种用于制备低温多晶硅的装置及方法

权利要求书

1.一种用于制备低温多晶硅的装置，包括：制程腔室、喷出组件、第一管道、第二管道、第三管道、氮气储槽和氢气储槽，其中，所述制程腔室用于盛放待结晶处理的单晶硅基板；所述喷出组件连接第一管道的一端，所述第一管道的另一端分别连接第二管道和第三管道的一端，所述第二管道的另一端连接氮气储槽，所述第三管道的另一端连接氢气储槽；在单晶硅结晶处理过程中，所述第一管道将经由所述第二管道和第三管道输入的预定比例的氮气和氢气混合，并通过喷出组件喷出。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第一流量控制器，所述第一流量控制器设置在第二管道上，用于控制氮气流量。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二流量控制器，所述第二流量控制器设置在第三管道上，用于控制氢气流量。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述预定比例为预定的体积比例。

5.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，氢气与氮气的体积比例为1:100。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括制程平台，所述制程平台设置在所述制程腔室内，用于放置所述待结晶处理的单晶硅基板。

7.一种用于制备低温多晶硅的方法，应用于上述制备低温多晶硅的装置，所述方法包括：

在对单晶硅进行结晶处理形成多晶硅过程中，第一管道将经由第二管道和第三管道输入的预定比例的氮气和氢气混合，并通过喷出组件喷出，对待结晶处理的单晶硅基板同时进行结晶和氢化处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预定比例为预定的体积比例。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，氢气与氮气的体积比例设置为1:100。