[发明专利]一种适用于OTPMemory内实现IAP功能的技术方法在审
申请号: | 201611247190.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106775891A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 汪正峰;刘伟;刘江 | 申请(专利权)人: | 合肥宏晶微电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F9/445 | 分类号: | G06F9/445 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 otpmemory 实现 iap 功能 技术 方法 | ||
技术领域
本发明可应用于信息存储领域中,尤其涉及一种适用于OTP Memory内实现IAP的技术方法。
背景技术
目前,在MCU应用中,以OTP Memory作为程序载体的芯片中,OTP需要额外的外部工具实现程序烧录,烧录需要复杂的高压控制电缆以及并行通讯总线控制系统。在应用中若需要永久保存数据信息,需要在系统方案中外接EEPROM或Flash,通过外部存储器保存数据,系统成本较高,,占用集成电路板的空间大。
本发明整合Pump Circuit/IAP控制/OTP写算法,实现OTP IAP功能,使OTP芯片在程序烧录,数据保存非常方便,且降低系统成本。
发明内容
本发明提出一种适用于OTP Memory内实现IAP功能的技术方法,该方法是这样实现的:
在芯片内部内建Pump Circuit、自编程OTP烧录控制寄存器,实现IAP功能;自定义通讯协议,通过串行接口(USB或UART)下发烧录指令,利用芯片内部的IAP功能完成程序烧录;在应用程序中利用IAP功能,烧录需要记录的数据;通过算法与合理的数据结构避开已经记录过的区域,实现多次记录的需求。
本发明适用于OTP Memory内实现IAP功能,它包括以下步骤:
S1:OTP芯片内部实现自升压,满足烧录高电压需求;
OTP 烧录时需要提供比正常工作电压高数倍的电压,一般为7.5V左右,本发明在芯片内部内建Pump Circuit,在无外部高压的情况下,芯片内部利用Pump Circuit自实现升压功能,以满足OTP 烧录所需的高电压需求;
S2:内建关联寄存器,实现IAP功能;
符合OTP 烧录的并行Timing接口,芯片内部硬件实现通过关联寄存器直接控制OTP 烧录Timing,实现IAP功能;
OTP IAP CTRL是实现IAP 功能的控制核心,实现控制Pump Circuit的开关、控制内部总线实现OTP编程以及提供实现IAP编程的接口功能寄存器;
芯片内建ISP module ,提供UART OR USB Driver,且通过自定义通讯协议,通过芯片的串行接口(USB或UART)下发烧录指令,利用芯片内部的IAP 功能完成程序烧录;
S3:建立合理算法和数据结构,实现烧录功能最大化;
MCU基于OTP烧录的程序运行,整个OTP 空间未烧录的部分可通过应用程序烧录,在应用程序中利用IAP 功能,烧录需要记录的数据,以实现在应用中保存在掉电后需要记忆的数据信息;
通过算法与合理的数据结构,避开已经记录过的区域,实现多次记录需求,解决OTP每个单元只能写一次无法重复写的问题。
本发明具有的优点和积极效果是:整合Pump Circuit/IAP控制/OTP写算法,实现OTP IAP功能,使OTP芯片在程序烧录,数据保存非常方便,且降低系统成本。
附图说明
图1是OTP Memory IAP 发明实现原理框图。
图2是本发明方案与传统OTP方案对比图。
图3是本发明系统应用与传统OTP 系统应用对比图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合图表及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实现在OTP芯片内集成升压电路、自编程控制逻辑,实现IAP功能。
由于OTP的存储单元只能实现一次数据烧录,所以在实际应用中,采取以下算法实现OTP数据记录次数最大化。
当OTP SIZE为64K,IAP 实现时数据编程顺序:
S1:从最后1 Bytes 地址(0FFFFH)读数据判断是否为0FFH(OTP未烧录过代码的区域值),地址依次减1,直到发现不为0FF的数据地址为止;
表中XX标识地址位置地址,IAP可写数据的地址为该地址+1;
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