[发明专利]一种花生高产栽培技术在审
申请号: | 201611198520.3 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106797782A | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 梁远雄 | 申请(专利权)人: | 柳州放心源农业有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C21/00 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人: | 杨晶晶 |
地址: | 545000 广西壮族自治区柳州*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 花生 高产 栽培技术 | ||
技术领域
本发明涉及花生种植技术领域,尤其涉及一种花生高产栽培技术。
背景技术
花生是我国重要的油料作物和经济作物,多分布在干旱或半干旱地区,虽然花生具有较强的抗旱、耐瘠性,但土壤瘠薄、长期干旱少雨或季节性干旱仍是制约我国花生产量提高的重要环境因素。
特别是在现有的种植技术下实现花生高产,十分困难。
发明内容
为解决现有技术和实际情况中存在的上述问题,本发明提供了一种花生高产栽培技术,包括如下步骤:选择增产潜力大的优良品种;选择地势平坦,耕作层肥沃土质,所述土质在0-30cm耕作层内有机质含量在1.0%以上,全氮0.08%以上,全磷0.07-0.09%,碱解氮80毫克/千克以上,速效磷30毫克/千克以上,速效钾70-80毫克/千克;整地、对花生田施肥,高产田每亩施优质圈肥5000-6000公斤,尿素17-20公斤,磷酸二铵20-25公斤,硫酸钾20-25公斤;播种:采用大型机械三膜十八行播种:大轮中心距离185cm,膜间行距65cm,膜上平均小行距24cm,总平均行距31cm,穴距17-18cm,亩穴数11900-12600穴,亩穴均下2粒种子;田间管理、收获:包括病虫害防治、除草、生育后期叶面喷肥、收获及清除残膜。
优选地,增产潜力大的优良品种具体为,含油量大于或等于50%,种子成熟饱满、纯度高的品种。
优选地,所述纯度高的品种的纯度具体达到99%以上。
优选地,所述纯度高的品种可为冀花4号、冀花5号或者冀花8号。
优选地,所述施肥方法为:针对保水保肥地块,将全部有机肥、钾肥及60%的氮磷肥结合耕地施入耕作层,剩余的40%的氮、磷肥做肥料或者追肥用。
优选地,所述播种步骤还包括:对种粒进行筛选,去掉破损粒、芽粒、霉粒及憋粒,然后将种子分成大小二级,分别播种。
有益效果:
本发明公开的一种花生高产栽培技术,不仅使得花生高产、且高效、安 全、优质、营养丰富,符合国家农业部制定的各项标准,经济效益高。
具体实施方式
下面详细介绍本发明技术方案。
本发明提供了一种花生高产栽培技术,包括如下步骤:选择增产潜力大的优良品种;选择地势平坦,耕作层肥沃土质,所述土质在0-30cm耕作层内有机质含量在1.0%以上,全氮0.08%以上,全磷0.07-0.09%,碱解氮80毫克/千克以上,速效磷30毫克/千克以上,速效钾70-80毫克/千克;整地、对花生田施肥,高产田每亩施优质圈肥5000-6000公斤,尿素17-20公斤,磷酸二铵20-25公斤,硫酸钾20-25公斤;播种:采用大型机械三膜十八行播种:大轮中心距离185cm,膜间行距65cm,膜上平均小行距24cm,总平均行距31cm,穴距17-18cm,亩穴数11900-12600穴,亩穴均下2粒种子;田间管理、收获:包括病虫害防治、除草、生育后期叶面喷肥、收获及清除残膜。
优选地,增产潜力大的优良品种具体为,含油量大于或等于50%,种子成熟饱满、纯度高的品种。
优选地,所述纯度高的品种的纯度具体达到99%以上。如此,可确保后期收获质量。
优选地,所述纯度高的品种可为冀花4号、冀花5号或者冀花8号。经过无数试验证明,上述品种的产量高,花生颗粒度饱满。
优选地,所述施肥方法为:针对保水保肥地块,将全部有机肥、钾肥及60%的氮磷肥结合耕地施入耕作层,剩余的40%的氮、磷肥做肥料或者追肥用。如此,能够保水保墒、增强花生抗旱性、提高花生水分利用率和产量,实现高产增效。
优选地,所述播种步骤还包括:对种粒进行筛选,去掉破损粒、芽粒、霉粒及憋粒,然后将种子分成大小二级,分别播种。如此选种后再进行精细播种,以保证早苗、全苗、匀苗、壮苗。
有益效果:
本发明公开的一种花生高产栽培技术,不仅使得花生高产、且高效、安 全、优质、营养丰富,符合国家农业部制定的各项标准,经济效益高。实践证明,按照本发明公开的一种花生高产栽培技术,能够实现亩实收株数20000-22000株,单株结果15-17个,单果重2.2克,产量极高。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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