[发明专利]一种新型直发器用陶瓷发热组件及其制作方法

权利要求书

1.一种新型直发器用陶瓷加热组件，包括A组件和B组件，其特征在于：所述A组件与直发器控制电路的输入端和输出端连接，自输入端接入的火线和自输入端接入的地线构成发热回路，所述A组件包括与直发器控制电路温度检测端连接并构成检测回路、集成在陶瓷基板上的NTC热敏器，所述检测回路和发热回路为独立设置，所述A组件还包括集成在陶瓷基板上的发热体和FUSE保险丝，所述FUSE保险丝包括FUSE熔断体和FUSE热敏介质体，所述FUSE热敏介质体的一端搭接于FUSE熔断体上且与A组件的发热体呈并联设置，所述B组件包括集成在陶瓷基板上的发热体，所述A组件的发热体、FUSE熔断体和B组件的发热体串联设置在发热回路上。

2.根据权利要求1所述的新型直发器用陶瓷加热组件，其特征在于：所述FUSE熔断体有两组，所述FUSE热敏介质体的两端对称搭接于FUSE熔断体上且与发热体呈并联设置。

3.根据权利要求1所述的新型直发器用陶瓷加热组件，其特征在于：所述A组件和B组件的发热体在陶瓷基板上均呈环状均匀分布。

4.根据权利要求1或2或3所述的新型直发器用陶瓷加热组件的制作方法，其特征在于，包括：A）A组件的制作步骤：

步骤一：在绝缘陶瓷基片上加工出横向划槽和纵向划槽；

步骤二：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片上形成线路和焊盘膜层、FUSE熔断体；

步骤三：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片上、线路和焊盘膜层上形成发热体膜层；

步骤四：将经步骤三形成的半成品放入850℃高温炉中烧成，以形成性能稳定的线路和焊盘功能膜层、FUSE熔断体功能膜层和发热体功能膜层；

步骤五：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片、线路、发热体膜层上形成绝缘保护层，绝缘保护层在预留有不覆盖焊盘、FUSE热敏介质体膜层和用于加工NTC热敏电阻器膜层的窗口；

步骤六：将经以上步骤五形成的绝缘保护层半成品放入850℃高温炉中烧成，以形成性能稳定的绝缘保护功能膜层；

步骤七：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片、焊盘膜层上形成与焊盘膜层搭接的NTC热敏电阻器膜层；

步骤八：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片和FUSE熔断体上形成与FUSE熔断体搭接的FUSE热敏介质体膜层；

步骤九：将经步骤八形成的半成品放入850℃高温炉中烧成，以形成性能稳定的NTC电阻器膜层和FUSE热敏介质体膜层；

步骤十：运用厚膜成膜技术，在NTC热敏电阻器膜层和FUSE热敏介质体膜层上形成绝缘保护层，该绝缘保护层的材料为聚酰亚胺体系、树脂体系或硅的化合物等有机体系；

步骤十一：将经步骤十获得的半成品放入200℃左右的低温固化炉（或固化箱）中，进行低温固化，以形成性能稳定的绝缘保护功能膜层；

B）B组件的制作步骤：

步骤一：在绝缘陶瓷基片上加工出横向划槽和纵向划槽；

步骤二：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片上形成线路、焊盘膜层；

步骤三：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片上、线路和焊盘膜层上形成发热体膜层；

步骤四：将经步骤三形成的半成品放入850℃高温炉中烧成，以形成性能稳定的线路和焊盘功能膜层和发热体功能膜层；

步骤五：运用厚膜成膜技术，在绝缘陶瓷基片、线路、发热体膜层上形成绝缘保护层；绝缘保护层预留有不覆盖焊盘的窗口；

步骤六：将经步骤五形成的绝缘保护层半成品放入850℃高温炉中烧成，以形成性能稳定的绝缘保护功能膜层。

5.根据权利要求4所述的新型直发器用陶瓷加热组件的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤十二：利用绝缘陶瓷基片横向划槽和纵向划槽，将经上述制程加工的A组件和B组件半成品，掰开形成单片A组件和B组件成品；

步骤十三：对单片A组件和B组件成品，进行性能测试、分选、外观检查、包装、入库。