[发明专利]一种大棚甜瓜吊蔓栽培技术在审
申请号: | 201611170025.1 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106717926A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 赵廷超 | 申请(专利权)人: | 重庆珞优农业科技有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G1/06;A01G9/10 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 黄玉珏 |
地址: | 402260 重庆市江*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大棚 甜瓜 栽培技术 | ||
技术领域
本发明涉及一种栽培方法,特别是一种大棚甜瓜吊蔓栽培技术。
背景技术
甜瓜又称香瓜,是人们喜爱的高档水果之一,它属于葫芦科甜瓜属甜瓜种,是一年生草本植物。温室冬春茬甜瓜栽培是保护地栽培的一个主要茬口,很多地区都形成了适应当地的高产栽培技术。一般667平方米产量15 000~20 000千克,效益5~6万元,特别是2011年至2012年茬口较高的甜瓜价格,使很多棚户效益达到8~10万元,吸引了众多棚户想改其它品种生产为。
发明内容
一种大棚甜瓜吊蔓栽培技术,其特征在于包括以下步骤:
筛选成熟、饱满、无病害的甜瓜种子,先用60℃-80℃的热水处理1-2min,不断搅拌使水温下降到25℃-30℃后停止,然后用0.1%硫酸铜溶液和200倍液代森铵浸种20min,消毒后用清水将种子透洗干净,用新毛巾包好,放在25℃-30℃的地方催芽,2d左右就可以发芽;
育苗:先播种甜瓜种子,5~7天后再播种砧木种子;在温室中做宽1米,长50的平畦,畦埂高20厘米,每畦内撒30-40千克优质农家肥,整平耙实,灌透水;
播种:在地里起土垄,起垄后喷洒有机肥,每平米土垄施加2~3公斤生物有机肥,施加生物有机肥后土垄晾晒45~55小时,待用;所述生物有机肥为动物粪便与鱼粉按重量比9:1~1.5混匀后,再添加总重量0.05~0.07%的胰蛋白中性酶,使其常温无氧发酵20~28小时;均匀撒播种子,甜瓜种子之间相距4厘米左右,覆土厚度1.5厘米,播种后立即盖地膜保湿;
嫁接:砧木2叶1心时进行嫁接,嫁接时先去除南瓜生长点,并在离子叶节5-10mm处的胚轴上按35角自下而上斜切一刀,切口深度为茎粗的3/5,再将舌形楔插入砧木的切口处,用嫁接夹固定,使甜瓜子叶压在南瓜子叶上面,嫁接成活后切断接穗茎基部;
嫁接苗处理:嫁接成活后的的种苗置于40-42℃的饱和水蒸汽环境中,同时通入微量溴甲烷和二氧化碳的混合物,进行熏蒸处理,甲烷与二氧化碳的体积比为2∶1,且溴甲烷的浓度为10-15g/m3时间为2-4min;将熏蒸处理得到的种苗置于压力为2-3kPa、温度为20℃中,实施真空处理,时间为10-15h;
定植:定植前7-10d作畦;采用甜瓜加行密植技术,主栽行的行距为1-1.2米,株距20-30厘米,每亩保苗2 200株左右,加行栽于主栽行的中间,每亩栽植2 000~2 200株。
本发明的优点在于:通过熏蒸化学处理和真空物理处理的联合处理方法,以及各个处理过程中最优化的参数选取,兼具了优异的杀虫脱毒效果,以及优异的生长效果,合理控制了处理的伤害和风险。
具体实施方式
实施例1
筛选成熟、饱满、无病害的甜瓜种子,先用60℃-80℃的热水处理1-2min,不断搅拌使水温下降到25℃-30℃后停止,然后用0.1%硫酸铜溶液和200倍液代森铵浸种20min,消毒后用清水将种子透洗干净,用新毛巾包好,放在25℃-30℃的地方催芽,2d左右就可以发芽;
育苗:先播种甜瓜种子,5~7天后再播种砧木种子;在温室中做宽1米,长50的平畦,畦埂高20厘米,每畦内撒30-40千克优质农家肥,整平耙实,灌透水;
播种:在地里起土垄,起垄后喷洒有机肥,每平米土垄施加2~3公斤生物有机肥,施加生物有机肥后土垄晾晒45~55小时,待用;所述生物有机肥为动物粪便与鱼粉按重量比9:1~1.5混匀后,再添加总重量0.05~0.07%的胰蛋白中性酶,使其常温无氧发酵20~28小时;均匀撒播种子,甜瓜种子之间相距4厘米左右,覆土厚度1.5厘米,播种后立即盖地膜保湿;
嫁接:砧木2叶1心时进行嫁接,嫁接时先去除南瓜生长点,并在离子叶节5-10mm处的胚轴上按35角自下而上斜切一刀,切口深度为茎粗的3/5,再将舌形楔插入砧木的切口处,用嫁接夹固定,使甜瓜子叶压在南瓜子叶上面,嫁接成活后切断接穗茎基部;
嫁接苗处理:嫁接成活后的的种苗置于40-42℃的饱和水蒸汽环境中,同时通入微量溴甲烷和二氧化碳的混合物,进行熏蒸处理,甲烷与二氧化碳的体积比为2∶1,且溴甲烷的浓度为10-15g/m3时间为2-4min;将熏蒸处理得到的种苗置于压力为2-3kPa、温度为20℃中,实施真空处理,时间为10-15h;
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