[发明专利]一种高阻水共挤氟膜及其在太阳能电池背板中的应用有效
申请号: | 201611164896.2 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106653903B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 王磊;陈洪野;宇野敬一;吴小平 | 申请(专利权)人: | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 汪青,仇波 |
地址: | 215200 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高阻水共挤氟膜 及其 太阳能电池 背板 中的 应用 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,涉及一种共挤氟膜,具体涉及一种高阻水共挤氟膜及其在太阳能电池背板中的应用。
背景技术
太阳能电池板主要由前板、太阳能电池片和背板组成,其中前板是具有高透光率的钢化玻璃;太阳能电池片由EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)胶膜包封;太阳能背板位于太阳能电池板的背面,对电池片起保护和支撑作用,需要具有可靠的绝缘性、阻水性、耐老化性。太阳能背板一般具有三层结构,外层保护层需要具有良好的抗环境侵蚀能力和与内层较好的粘结性能,因含氟薄膜的耐候性突出,因此外层保护层一般为PVF(聚氟乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)和THV(四氟乙烯,六氟丙烯和偏二氟乙烯的聚合物),内层需要与包封EVA具有良好的粘接性能、优异的抗紫外能力和较高的光反射率;内层的选择一般为含氟膜或EVA膜两大类。背板的阻水能力影响组件的发电效率以及使用寿命,而氟膜是背板各组成中阻水能力最弱的部件;因此,需要研制具有高阻水特性的氟膜和背板。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种高阻水共挤氟膜。
为达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:一种高阻水共挤氟膜,它包括依次层叠设置的PVDF层、粘结层和阻水层。
优化地,所述阻水层的厚度为20~100μm,所述粘结层的厚度为20~100μm,所述PVDF层的厚度为5~50μm。
优化地,所述阻水层为选自环烯烃类聚合物、聚丙烯、乙烯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯接枝聚乙烯和甲基丙烯酸缩水甘油酯接枝聚丙烯中的一种或者几种组成的混合物。
进一步地,所述粘结层的材质为改性PVDF树脂,或者乙烯/甲基丙烯酸甲酯共聚物,或者为改性PVDF树脂与环烯烃类聚合物和/或PVDF树脂组成的混合物,或者乙烯/甲基丙烯酸甲酯共聚物与环稀烃类聚合物和/或PVDF树脂组成的混合物。
进一步地,所述PVDF层包含以下重量分数的组分:
PVDF树脂60~94%;
PMMA5~30%;
无机填料1~15%。
本发明的又一目的在于提供一种上述高阻水共挤氟膜在太阳能电池背板中的应用。
优化地,所述太阳能电池背板还包括层叠设置的胶水层、基材层以及氟涂层,所述胶水层形成在所述阻水层的表面。
优化地,所述胶水层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸树脂和环氧树脂中的一种或者多种混合物;所述基材层的材质为PET;所述氟涂层的材质为四氟乙烯-乙烯基醚共聚物、四氟乙烯-乙烯基酯共聚物、单氟氯乙烯-乙烯基酯共聚物和乙烯基共聚物中一种或者多种混合物。
进一步地,所述胶水层的厚度为12~15μm;所述基材层的厚度为100~200μm;所述氟涂层的厚度为3~20μm。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:本发明高阻水共挤氟膜,通过将其设置成包括依次层叠设置的PVDF层、粘结层和阻水层,这样能确保其疏水性,保证太阳能背板和太阳能电池免受水汽的侵蚀,从而确保其发电效率和使用寿命。
附图说明
图1为本发明高阻水共挤氟膜的结构示意图;
图2为本发明太阳能电池背板的结构示意图。
具体实施方式
本发明高阻水共挤氟膜,它包括依次层叠设置的PVDF层11、粘结层12和阻水层13。它们的厚度通常可以根据实际性能的要求或者工艺条件进行调整,具体为:阻水层的厚度为20~100μm,粘结层的厚度为20~100μm,PVDF层的厚度为5~50μm。
其中,阻水层13为选自环烯烃类聚合物(COC)、聚丙烯(PP)、乙烯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯接枝聚乙烯(PE-g-GMA)和甲基丙烯酸缩水甘油酯接枝聚丙烯(PP-g-GMA)中的一种或者几种组成的混合物。粘结层12的材质为改性PVDF树脂,或者乙烯/甲基丙烯酸甲酯共聚物,或者为改性PVDF树脂与环烯烃类聚合物和/或PVDF树脂组成的混合物,或者乙烯/甲基丙烯酸甲酯共聚物与环稀烃类聚合物和/或PVDF树脂组成的混合物。PVDF层11包含以下重量分数的组分:PVDF树脂60~94%、PMMA5~30%和无机填料1~15%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的