[发明专利]使用室温高速喷粉法制备高密度固体电解质薄膜的方法在审
| 申请号： | 201611158610.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107645017A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 孙参翼;权恩汦 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,朱慧宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 室温 高速 法制 高密度 固体 电解质 薄膜 方法 | ||
1.一种制备高密度固体电解质薄膜的方法，所述方法使用室温高速喷粉法并且包括：
a)制备具有0.1至10μm的平均粒径的氧化物基固体电解质粉末；
b)热处理氧化物基固体电解质粉末；和
c)通过在阳极层或阴极层上使用室温高速喷粉法喷射氧化物基固体电解质粉末从而形成氧化物基固体电解质薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤a)中，在200至400RPM下进行球磨1至5分钟。
3.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤b)中，在650至750℃的温度下进行热处理4至6小时。
4.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤c)中，在如下条件下进行室温高速喷粉法：基材转移速度为100至400mm/min，基材和喷嘴之间的转移距离为25至45mm，并且喷嘴宽度为30至40mm。
5.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤c)中，在室温高速喷粉法中，注射N2作为转移气体并且N2的气体流速为30至40l/min。
6.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤c)中形成的氧化物基固体电解质薄膜的厚度为1至200μm。
7.根据权利要求1所述的制备高密度固体电解质薄膜的方法，其中在步骤c)中形成的氧化物基固体电解质薄膜的离子导电率为1×10-7至3×10-7S/cm。
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