[发明专利]一种高矫顽力烧结钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高矫顽力烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S100制备改性纳米二氧化硅，将硅烷偶联剂与纳米二氧化硅以预设比例在乙醇溶液中混合60min，加热温度为60℃，得到改性的纳米二氧化硅溶液；

S200采用真空感应炉熔炼钕铁硼合金，同时分别熔炼镁、铝金属，然后将铸锭破碎，将破碎的钕铁硼合金浸泡在改性纳米二氧化硅溶液中，24h后烘干，然后在氩气保护下采用熔体溢流法，制备快淬薄带试样；

S300在氩气保护下将破碎镁和铝加入到钕铁硼合金试样中，均匀混合后经氢破、气流磨制成磁粉；以及

S400将磁粉试样在1600kA/m的外磁场中取向后在真空动态晶化热处理炉中进行晶化，升温速率为20℃/min，转速10r/s，到达晶化温度，停止加热，预设时间保温，保温过后使用氩气进行降温，降温速率25℃/min，再分别进行一级、二级热处理，得到高矫顽力烧结钕铁硼，其中，镁和铝的含量占钕铁硼合金的1％，硅烷偶联剂与纳米二氧化硅的质量之比为1∶5～20。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S400中的真空动态晶化热处理炉进行加热和冷却处理，并且在加热和冷却过程中旋转，在相变点时短时保温。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S200中的钕铁硼合金与纳米二氧化硅的质量比为185∶1。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S300中磁粉的平均粒度为3～5μm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S400中的晶化温度为980～1050℃，保温时间为5～10min，磁粉在晶化后分别在800～900℃以及400～600℃进行一级、二级热处理。