[发明专利]一种显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板设计技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

一般为了防止液晶老化，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)在实际工作时，像素电压的极性是周期性变化的，但同时也使得正负极性的像素电压绝对值并不会是完全对称，由此每帧画面的亮度会有周期变化，反应在视觉上就是闪烁。闪烁均一性，是面板整体闪烁状况的一个衡量指标，对面板的品质有很大的影响。影响面板闪烁均一性的因素有很多，主要有馈通电压均匀性、面板驱动方式、耦合电容、漏电流以及公共电极电压等，而馈通电压均匀性是很重要的一个因素。

图1是现有的显示面板的结构示意图。参照图1，现有的显示面板包括显示区域和该显示区域外围的非显示区域，非显示区域包括阵列基板行驱动电路单元。100处是该显示面板中栅极输入端走线的设计方案，在该设计方案中，栅极输入端没有任何阻容单元，阵列基板行驱动电路单元输出的栅极信号直接通过栅极走线与显示区域的栅极输入端电性连接。采用该设计方案，显示区域的栅极信号延迟情况以及馈通电压情况具体参见图2。

图2是现有的显示面板中在显示区域的栅极信号延迟以及馈通电压分布示意图。为了便于描述，将显示区域的栅极走线分为：栅极近端、栅极中端和栅极远端。参照图2，上半部分表示在显示区域栅极近端、栅极中端以及栅极远端的栅极信号的延迟情况，下半部分表示在显示区域栅极近端、栅极中端以及栅极远端的馈通电压分布情况(ΔVa，ΔVb，ΔVc)。Vgh为打开TFT的电压，Vpixel为像素电压。

由于该显示面板在栅极输入端没有任何阻容单元，所以栅极近端的信号基本没有延迟，相应的其馈通电压(ΔVa)较大；而栅极中端和栅极远端的栅极信号会出现延迟，相应的其馈通电压(ΔVb和ΔVc)较小。因此，采用该显示面板中栅极输入端走线的设计方案，会在显示区域由于栅极电压延迟而导致馈通电压均一性较差，即ΔVa，ΔVb，ΔVc相差较大，从而造成显示面板的闪烁均一性较差，进而影响显示面板的品质。

现有技术的不足在于：栅极信号在进入显示区域之前基本没有延迟，导致显示面板的闪烁均一性较差。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供了一种显示面板，其包括显示区域和所述显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括彼此一一对应的多个阵列基板行驱动电路单元和多个阻容单元，其中：

各所述阵列基板行驱动电路单元的输出端通过相应的所述阻容单元与所述显示区域中的相应的栅极输入端电性连接，以使各所述阵列基板行驱动电路单元输出的栅极信号在进入所述显示区域前有时间上的延迟。

在一个实施例中，所述阻容单元为以下任一电路元件：绕线电阻、多晶硅电阻和电容。

在一个实施例中，当所述阻容单元为绕线电阻时，所述绕线电阻位于所述显示面板的第一金属层，所述绕线电阻的一端与相应的阵列基板行驱动电路单元的输出端电性连接，所述绕线电阻的另一端与相应的栅极输入端电性连接。

在一个实施例中，所述绕线电阻的材料与所述显示面板的第一金属层的材料相同。

在一个实施例中，当所述阻容单元为绕线电阻时，所述绕线电阻的走线结构为折线结构。

在一个实施例中，所述折线结构为连续的U型折线结构。

在一个实施例中，当所述阻容单元为多晶硅电阻时，所述多晶硅电阻位于所述显示面板的有源层，所述多晶硅电阻的一端通过第一过孔与相应的阵列基板行驱动电路单元的输出端电性连接，所述多晶硅电阻的另一端通过过第二孔与相应的栅极输入端电性连接。

在一个实施例中，所述非显示区域还包括公共电极，当所述阻容单元为电容时，所述电容的一个电极由所述公共电极构成，所述电容的另一个电极位于所述显示面板的第一金属层。

在一个实施例中，所述电容中位于第一金属层的另一个电极的材料与所述显示面板的第一金属层的材料相同。

在一个实施例中，所述电容中位于第一金属层的另一个电极的形状为方块状。

与现有技术相比，本发明的一个或多个实施例可以具有如下优点：

本发明提供的显示面板在栅极输入端增加了阻容单元，所以栅极信号在进入显示区域之前就存在一个适度的延迟，可以提高馈通电压的均一性，从而改善显示面板的闪烁均一性。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。