[发明专利]一种再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线的方法

权利要求书

1.一种再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法，通过在一步法制备APbI₃钙钛矿的旋涂过程中滴加不良溶剂以及极性非质子溶剂制备APbI₃钛矿纳米线，其中A＝CH₃NH₃，Cs；具体步骤如下：

步骤1；依次用洗洁精，自来水，去离子水，乙醇超声清洗基底10-30min；吹干后置于UV-O₃中处理10-15min；

步骤2；在表面清洗干净的基底上滴加APbI₃钙钛矿前驱体溶液；

步骤3；在旋涂涂膜过程中滴加不良溶剂以及极性非质子溶剂混合溶剂制备钙钛矿薄膜；

步骤4；进行加热退火处理，即得到铅卤钙钛矿纳米线。

2.根据权利要求1所述的再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法，其特征在于，步骤1中，基底为普通玻璃或FTO导电玻璃。

3.根据权利要求1所述的再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法，其特征在于，所述的不良溶剂为氯苯或甲苯；极性溶剂为N，N-二甲基酰胺，二甲基亚砜，γ-丁内酯中的一种；

4.根据权利要求1所述的再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法，其特征在于，步骤3中，所述的不良溶剂与极性非质子溶剂的体积比为10:1～50:1，钙钛矿前驱体溶液与混合溶剂体积比为1:3～1:2。

5.根据权利要求1所述的再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法，其特征在于，步骤4中，当A＝CH₃NH₃时，退火处理时间为8-12min，退火处理温度为100±10℃；当A＝Cs时，退火处理时间为18-22min，退火处理温度为250±10℃。