[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法与钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201611154129.3 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106784322B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 孟鸿;缪景生;胡钊 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括:

步骤A、首先将钙钛矿前驱体溶液旋涂到衬底上;其中,所述钙钛矿前驱体溶液选用的溶剂为DMF、DMSO、中的一种或多种;

步骤B、然后旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,在钙钛矿前驱体溶液未完全挥发时,停止旋转,放置一定的时间;

步骤C、重新旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,然后再滴入反型溶剂,在80~120℃下退火5~15分钟,制成钙钛矿薄膜;

所述步骤B中,放置的时间为10~180s;

所述步骤B中,在钙钛矿前驱体溶液中溶剂尚未完全挥发时,停止旋涂仪的旋转,使其静止一定的时间,延长钙钛矿薄膜的成膜时间来增加钙钛矿薄膜的成膜质量。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,所述衬底为透明电极,所述透明电极上形成有一致密层。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述致密层为TiO2、SnO2、ZnO、PEDOT:PSS、NiO中的一种。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B中,放置的时间为10~50s。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤C中,所述反型溶剂为甲苯、氯苯、氯仿、乙醚中的一种或多种。

6.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述透明电极为ITO导电玻璃。

7.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述致密层的厚度为30~50nm。

8.一种钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜采用如权利要求1~7任一所述的钙钛矿薄膜的制备方法制备而成。

9.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池包括如权利要求8所述的钙钛矿薄膜。

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