[发明专利]一种Al-Si-Cu晶界扩散添加剂及含有该晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体在审
| 申请号： | 201611153357.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231388A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 解伟;吴新谦;于荣海;韩珩;肖震;钟炳文 | 申请（专利权）人： | 龙岩紫荆创新研究院 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C22C21/02;C22C21/14 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;吕元辉 |
| 地址： | 364012 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶界扩散 添加剂 钕铁硼磁体 稀土元素 制备 扩散添加剂 添加剂添加 矫顽力 | ||
【权利要求书】：
1.一种Al-Si-Cu晶界扩散添加剂，其特征在于，该晶界扩散添加剂包括铝、硅、铜，以扩散添加剂总质量为100％，铝、硅、铜的质量百分含量分别为：
铝：82至90wt％；
硅：6至12wt％；
铜：2至8wt％。
2.如权利要求1所述的Al-Si-Cu晶界扩散添加剂，其特征在于，该晶界扩散添加剂的软化和熔化温度区间为520℃至585℃。
3.一种含有Al-Si-Cu晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体，其特征在于，该钕铁硼磁体由如权利要求1或2所述的Al-Si-Cu晶界扩散添加剂与钕铁硼磁体混合后经热压成各向同性全密度磁体。
4.一种含有Al-Si-Cu晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体，其特征在于，该钕铁硼磁体由如权利要求3所述的热压磁体经热变形成各向异性磁体。
5.如权利要求3或者4所述的含有Al-Si-Cu晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体，其特征在于，Al-Si-Cu晶界扩散添加剂添加重量为钕铁硼磁体重量的0.1％至1％。
6.如权利要求3所述的含有Al-Si-Cu晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体，其特征在于，Al-Si-Cu晶界扩散添加剂以200目至325目粉末状与钕铁硼磁体粉末进行混合。
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