[发明专利]一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线在审

专利信息
申请号: 201611153229.4 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106788343A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 李嵩;高景明;杨汉武;钱宝良;阚江南 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: H03K3/53 分类号: H03K3/53
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 代理人: 赵洪
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街4*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 高储能 密度 液体 介质 卷绕 带状 脉冲 形成
【权利要求书】:

1.一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线由高储能密度液体介质(24)、金属带(25)、固定板(26)和绝缘封装(27)四部分构成;金属带(25)位于固定板(26)的卡槽中,呈紧配合关系;固定板(26)位于绝缘封装(27)中,固定板(26)边缘与绝缘封装(27)的内壁呈紧配合关系;高储能密度液体介质(24)灌注于绝缘封装(27)内部,包围所有金属带(25),并充斥整个绝缘封装(27)的内部区域;金属带(25)由卷绕成涡旋状的内金属带(28)、中金属带(29)、外金属带(30)组成,固定板(26)由下固定板(31)和上固定板(32)组成,下固定板(31)和上固定板(32)上的卡槽形状为涡旋线。

2.如权利要求1所述的一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于所述内金属带(28)、中金属带(29)、外金属带(30)均为宽度为W,长度为l,厚度为d的金属带,三条金属带间的距离为D;内金属带(28)涡旋线的基圆半径为R,螺距为N;中金属带(29)涡旋线的基圆半径为R+d+D,螺距为N;外金属带(30)涡旋线的基圆半径为R+2d+2D,螺距为N;其中,螺距N=3d+3D。

3.如权利要求1所述的一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于所述下固定板(31)由绝缘材料制成,形状为圆柱体板,厚度为H,在下固定板(31)上端面铣有三条宽度为d的涡旋线形状的卡槽;第一内涡旋线卡槽(33)的基圆半径为R,螺距等于内金属带(28)涡旋线的螺距N;第一中涡旋线卡槽(34)的基圆半径为R+d+D,螺距为N;第一外涡旋线卡槽(35)的基圆半径为R+2d+2D,螺距为N;三条涡旋线形状的卡槽的深度均为O;第一内涡旋线卡槽(33)中嵌入内金属带(28),第一中涡旋线卡槽(34)中嵌入中金属带(29),第一外涡旋线卡槽(35)中嵌入外金属带(30);所述R为内金属带(28)涡旋线的基圆半径。

4.如权利要求1或3所述的一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于所述上固定板(32)由绝缘材料制成,形状为圆柱体板,厚度为H;在上固定板(32)下端面铣有三条宽度为d的涡旋线形状的卡槽;第二内涡旋线卡槽(36)的基圆半径为R,螺距为N;第二中涡旋线卡槽(37)的基圆半径为R+d+D,螺距为N;第二外涡旋线卡槽(38)的基圆半径为R+2d+2D,螺距为N;三条涡旋线卡槽的深度均为O,第二内涡旋线卡槽(36)中嵌入内金属带(28),第二中涡旋线卡槽(37)中嵌入中金属带(29),第二外涡旋线卡槽(38)中嵌入外金属带(30);正对卡槽起始端设计有三个直径为V的第一圆形通孔(39),通过金属电缆分别连接内金属带(28)、中金属带(29)、外金属带(30);正对卡槽终端同样设计三个直径为V的第二圆形通孔(40),通过金属电缆分别连接内金属带(28)、中金属带(29)、外金属带(30)。

5.如权利要求1所述的一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于所述绝缘封装(27)由液体介质槽(41)和盖板(42)组成;液体介质槽(41)是由绝缘材料制成且上端开口的圆筒;液体介质槽(41)的内半径为R1,高度为H1,壁厚为S,要求R1大于金属导体带外半径,H1>S+2·D+W;液体介质槽(41)上端面均匀钻6个攻丝圆孔,孔径K<S;液体介质槽(41)底面几何中心处焊接圆管(43),用于高储能密度液体介质(24)的输出。

6.如权利要求5所述的一种基于高储能密度液体介质的卷绕型带状脉冲形成线,其特征在于所述盖板(42)由绝缘材料制成,形状为圆柱体,外半径R2=R1+S,厚度为S;与液体介质槽(41)上端面6个攻丝圆孔相对应的位置钻孔,使用螺杆进行封装;在盖板(42)与上固定板(32)上的第一圆形通孔(39)相应位置钻3个通孔,孔径均为J,J=K,用于高电压的输入;在盖板(42)与上固定板(32)第二圆形通孔(40)相应位置钻3个通孔,孔径均为J,用于高电压的输出。在盖板(42)几何中心处焊接圆管(43),用于高储能密度液体介质(24)的输入。

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