[发明专利]一种电池片光衰装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电池片光衰装置。本装置处理的电池片为硅太阳能电池片。

背景技术

晶体硅太阳能电池片是目前太阳能电池市场的主流产品。然而，由于硅晶体生长过程中引入了杂质，对电池的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心，从而使硅片的少子寿命降低, 引起电池转换效率下降，产生光衰现象。

行业内一般采用对电池进行露天曝晒的方式来研究它的光致衰减特性，但这种方式容易受外界天气影响。也有的机构使用光强为1.5千瓦/m²的模拟光源做光照设备。这两种方式所需实验周期都较长，大约为10到20个小时。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种电池片光衰装置。该装置采用高光源强度的光源对太阳能电池片进行处理，可在不影响太阳能电池片其他性能的前提下加速它的衰减。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种电池片光衰装置，包括底座、不锈钢框架、承载电池片的基板和盖体，所述基板水平设置于不锈钢框架的中间区域，其上方是高光源强度的光源，光源向下光照，送风装置设置在不锈钢框架上，送风装置位于基板的上部且邻近基板，不锈钢框架上还设有绝缘层，绝缘层上的断路装置和开关装置控制光源和送风装置的开关。

该装置是高光源强度光源在太阳能电池组件或加盖超白玻璃的电池片的正面进行光照，用送风装置对其降温以使其保持在正常的工作温度。

本发明一个较佳实施例中，所述的光源是红外灯，光源高度在45cm至55cm之间调节，光强在4千瓦/m²至6千瓦/m²之间调节。

本发明一个较佳实施例中，所述的送风装置是风扇，风扇的风量在35m³/min至55m³/min之间调节。

本发明采用高光源强度光源光照加速电池片光衰的原理在于：氧、铁等杂质是引起晶体硅太阳电池光致衰减的主要因素。在常温光照时, 能量大于硅的禁带宽度的光子激发出载流子，掺杂剂与氧、铁等杂质在载流子的作用下生成复合中心, 引起光致衰减。增大这部分入射光子的数量，可以加快复合中心的生成速率。同时，用送风装置对电池降温以避免强光照射引起电池温度升高带来的其他影响。本装置可根据实验量的需求进行扩充。 本装置也可用于聚光电池的光致衰减实验。本发明结构简单，易于操作，能大幅度缩短实验周期。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1为本发明一种电池片光衰装置结构示意图。

具体实施方式

现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

如图1所示，一种电池片光衰装置，包括底座1、不锈钢框架2、承载电池片的基板5和盖体6，所述基板5水平设置于不锈钢框架2的中间区域，其上方是高光源强度的光源4，光源4向下光照，送风装置3设置在不锈钢框架2上，送风装置3位于基板5的上部且邻近基板5，不锈钢框架2上还设有绝缘层9，绝缘层9上的断路装置7和开关装置8控制光源4和送风装置3的开关。

所述的光源是红外灯，光源高度在45cm至55cm之间调节，光强在4千瓦/m²至6千瓦/m²之间调节；所述的送风装置是风扇，风扇的风量在35m³/min至55m³/min之间调节以确保实验时电池片的温度在45℃至55℃之间。

将加盖超白玻璃的电池片放在光源下方，设定该装置的光强为5千瓦/m²，调节风扇风量使得电池片温度保持在50℃左右。经此装置光照3.5小时后，电池片的衰减率约等于光强为1.5千瓦/m²的普通模拟光源光照12小时的衰减率。例如，取35片单晶硅电池片，经光强为1.5千瓦/m²的普通模拟光源光照12小时后，衰减率为2.25%。另取同一批次同一档次的35片单晶硅电池片，经此加速衰减装置光照3.5小时后，衰减率为2.26%，已经达到普通光源光照12小时的效果。

以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。