[发明专利]内藏式波束选择天线系统有效

专利信息
申请号: 201611144598.7 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106785364B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 邱宗文;颜红方;杜昆谚;张耀元;李荣耀 申请(专利权)人: 常熟市泓博通讯技术股份有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q5/30;H01Q15/14;H01Q19/10
代理公司: 常熟市常新专利商标事务所(普通合伙) 32113 代理人: 朱伟军
地址: 215500 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 内藏 波束 选择 天线 系统
【权利要求书】:

1.一种内藏式波束选择天线系统,其特征在于包括:

一接地面;

一电磁屏蔽罩,设置于所述的接地面;

一第一辐射单元,垂直于所述接地面且设置于接地面的一第一边缘,该第一辐射单元包括:

一第一单极天线,设置于所述接地面的所述第一边缘,且利用一射频馈入单元以产生一高频共振模态,其中所述射频馈入单元设置于所述第一单极天线与所述接地面之间;

一第一低频辐射体,位于所述第一单极天线的左侧,用以产生一低频共振模态,该第一低频辐射体具有一第一延伸部与一第一接地部,该第一延伸部用以耦合所述第一单极天线,并且该第一低频辐射体的所述第一接地部通过一第一开关连接至所述的接地面;以及

一第二低频辐射体,该第二低频辐射体位于所述第一单极天线的右侧,用以产生低频共振模态,该第二低频辐射体具有一第二延伸部与一第二接地部,该第二延伸部用以耦合所述的第一单极天线,并且该第二低频辐射体的所述第二接地部通过一第二开关连接至所述接地面;

一第一反射单元,垂直设置于所述接地面上,且通过一第三开关连接所述接地面,并且该第一反射单元位于所述第一低频辐射体与所述电磁屏蔽罩之间;以及

一第二反射单元,垂直设置于所述接地面上,且通过一第四开关连接所述接地面,该第二反射单元位于所述第二低频辐射体与所述电磁屏蔽罩之间。

2.根据权利要求1所述的内藏式波束选择天线系统,其特征在于所述第一低频辐射体的长度与所述第二低频辐射体的长度均为所述低频共振模态的频率所对应的操作波长的四分之一,其中当所述的第一开关或所述的第二开关导通时,对应的所述第一低频辐射体或所述第二低频辐射体被导通至所述的接地面。

3.根据权利要求1所述的内藏式波束选择天线系统,其特征在于所述第一反射单元与所述第二反射单元的长度为所述第一单极天线的高频共振模态的频率所对应的操作波长的四分之一,其中当所述的第三开关或所述的第四开关导通时,对应的所述第一反射单元或所述第二反射单元被导通至该接地面。

4.根据权利要求1所述的内藏式波束选择天线系统,其特征在于垂直于所述接地面的所述第一边缘且往该接地面的内侧延伸的方向为+X轴向,垂直于X轴且往所述第二低频辐射体延伸的方向为+Z轴向,其中当所述的第一开关导通时,所述的低频共振模态的辐射场型朝向+X轴向与+Z轴向所划分的象限偏移。

5.根据权利要求1所述的内藏式波束选择天线系统,其特征在于垂直于所述接地面的所述第一边缘且往所述接地面的内侧延伸的方向为+X轴向,垂直于X轴且往所述第二低频辐射体延伸的方向为+Z轴向,其中当所述的第二开关导通时,所述的低频共振模态的辐射场型朝向+X轴向与-Z轴向所划分的象限偏移。

6.根据权利要求1所述的内藏式波束选择天线系统,其特征在于当所述的第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关均不导通时,所述的高频共振模态所对应的辐射场型朝向所述的接地面偏移。

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