[发明专利]一种晶体振荡器的温度补偿系统在审

专利信息
申请号: 201611129554.7 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106603068A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 付玮;刘东;黄显核 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03L1/02 分类号: H03L1/02
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体振荡器 温度 补偿 系统
【说明书】:

技术领域

本发明属于晶体振荡器技术领域,更为具体地讲,涉及一种晶体振荡器(Temperature Compensate Crystal Oscillator,以下简称TCXO)的温度补偿系统,用于改善温度补偿,提高晶体振荡器输出频率的温度稳定性。

背景技术

晶体振荡器广泛应用于电子信息产业,精密的晶体振荡器对通信、电子仪器、航空航天、国防军工等领域的技术发展有重要作用。

随着环境温度的变化,晶体振荡器输出频率会发生漂移。这种输出频率随温度变化的情况如图1所示,通常定义这种图形为频率—温度特性曲线。

为了改善振荡器的频率温度特性,人们采用了许多补偿办法,其中,微机补偿晶体振荡器(Microcomputer Compensated Crystal Oscillator,简称MCXO)就是其中之一。其思路是,在不同的温度点,加载不同电压于晶体振荡器的负载变容二极管上,以便于将晶体振荡器输出频率拉回到固定的值,通常命名此时的加载电压为补偿电压。补偿电压随温度变化的曲线,如图2所示。将补偿曲线导入MCXO,工作时,MCXO以补偿曲线为依据,根据温度传感器获取的温度信息输出相应的补偿电压,从而达到修正晶体振荡器输出频率的目的。

但是补偿曲线的采样点是有限的,如图2中,方框所示位置,就是实验获取的采样点。对于采样点之间的位置,可采用直线段插值的方法来填充(MQ Li,XH Huang,“A novel microcomputer temperature-compensating method for an overtone crystal oscillator”,IEEE transaction on ferroelectrics and frequency control,vol.52,No.11,pp.1919-1922,2005)。也可采用其他拟合插值的方法来填补采样点与采样点之间的空间,以提高精度。例如Micro Analog Systems公司出品的MAS6279、MAS6270采用多项式拟合插值来填补采样点与采样点之间的空间。即采用多项式函数基来拟合,且是5次多项式或者3次多项式。

3次多项式的形式为:

f(x)=a0+a1x+a2x2+a3x3(1)

5次多项式的形式为:

f(x)=a0+a1x+a2x2+a3x3+a4x4+a5x5(2)

其中,x为晶体振荡器的环境温度,f(x)为输出的补偿电压。多项式的次数越高其参数(系数a0~am)也就越多。同时,采用更高的次数,显然其精度越高。因为如果高次项的系数为0的话,高次多项式就退化为低次多项式的形式。例如5次多项式中,如果a4、a5为0,就退化为3次多项式的形式。其实,5次多项式是包含3次多项式的,所以次数越高,精度越高。

然而次数越高,其参数也就越多。在将补偿系统芯片化时,希望参数越少越好。例如Micro Analog Systems公司出品的MAS6279、MAS6270甚至都忽略了2次项a2。也就是存在参数个数与补偿精度相互竞争的矛盾,即参数越多精度越高。怎样用尽量少的参数,取得更高的精度,是晶体振荡器的温度补偿系统需要解决的问题。

在2015年03月25日公布的、申请公布号为CN104467816A的中国发明专利申请公布了一种“晶体振荡器的温度补偿系统”,采用傅里叶函数基进行拟合,得到函数基的参数,ARM控制单元根据函数基的参数,计算得到补偿曲线,在使用时,ARM控制单元通过温度传感器获得温箱温度,然后以补偿曲线为依据,根据温箱温度查找补偿电压,并经补偿电压加载到压控晶体振荡器的负载变容二极管上,修正晶体振荡器输出频率。该专利申请公布的“晶体振荡器的温度补偿系统”相对于现有的多项式拟合提高了温度补偿的精度。然而,在同样参数情况下,需要进一步提高温度补偿精度。

发明内容

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