[发明专利]用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置

权利要求书

1.一种多晶硅制备装置，其包括：

室，所述室包括具有打开的下部的外壳和与所述外壳的下部连接的基板；和

在基板的上表面上的陶瓷颗粒层，其用于防止在过程中产生的硅粉尘与基板直接接触且在所述过程之后与硅粉尘一起被去除。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其中所述基板具有由镍材料形成的表面。

3.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其中所述陶瓷颗粒层包含颗粒直径为5-300nm的陶瓷。

4.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其中所述陶瓷颗粒层具有10-200nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其中所述陶瓷颗粒层具有600℃或更高的耐热温度且包含绝缘陶瓷。

6.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其中所述陶瓷颗粒层包含氧化铝、氮化铝、氧化硅和氮化硅中的一种或多种。

7.一种用于从基板去除粉尘的方法，所述方法包括：

在基板的上表面上涂覆和干燥含陶瓷颗粒的涂层溶液；和

在使用包括所述基板的制备装置的多晶硅制备过程后实施清除以去除由陶瓷颗粒形成的颗粒层和在颗粒层上累积的硅粉尘。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用喷涂方法实施所述涂覆。

9.根据权利要求7所述的方法，其中通过水清除实施所述清除。