[发明专利]一种单光子雪崩二极管的淬火复位电路

权利要求书

1.一种单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于，所述单光子雪崩二极管的淬火复位电路至少包括：

单光子雪崩二极管，所述单光子雪崩二极管的阴极连接设定电位，所述设定电位小于电源电压与所述单光子雪崩二极管的临界雪崩电压之和；

被动复位模块，连接于所述单光子雪崩二极管的阳极，通过外部复位信号将所述单光子雪崩二极管的阳极复位至低电位；

淬火模块，连接于所述单光子雪崩二极管的阳极，当所述单光子雪崩二极管发生雪崩后将所述单光子雪崩二极管的反偏电压减小到临界雪崩电压之下；

主动复位模块，连接于所述淬火模块的输出端及所述单光子雪崩二极管的阳极，当淬火结束后将所述单光子雪崩二极管的阳极复位至低电位。

2.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述被动复位电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端连接所述单光子雪崩二极管的阳极、栅端连接外部复位信号、源端接地。

3.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述淬火模块包括：第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管及第一反相器；

所述第二NMOS管的漏端及栅端连接所述单光子雪崩二极管的阳极；所述第一反相器的输入端连接所述单光子雪崩二极管的阳极；所述第三NMOS管的漏端连接所述第二NMOS管的源端、栅端连接所述第一反相器的输出端、源端接地；所述第一PMOS管的漏端连接所述单光子雪崩二极管的阳极、栅端连接所述第一反相器的输出端、源端连接电源电压。

4.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述主动复位模块包括：延时单元、或非逻辑单元及下拉单元；

所述延时单元的输入端连接所述淬火模块的输出端，用于将输入信号延时并减小脉宽；

所述或非逻辑单元的第一输入端连接所述淬火模块的输出端、第二输入端连接所述延时单元的输出端，当所述单光子雪崩二极管发生雪崩后触发主动复位信号；

所述下拉单元连接所述或非逻辑单元的输出端及所述单光子雪崩二极管的阳极，当所述主动复位信号起效时将所述单光子雪崩二极管的阳极复位至低电位。

5.根据权利要求4所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述下拉单元为第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏端连接所述单光子雪崩二极管的阳极、栅端连接所述或非逻辑单元的输出端、源端接地。

6.根据权利要求4所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述延时单元包括：电阻、第一电容、第二反相器、第二电容、第五NMOS管及第三反相器；所述电阻的一端连接输入信号、另一端连接所述第二反相器；所述第一电容的一端连接于所述电阻及所述第二反相器之间、另一端接地；所述第二电容的一端连接所述第二反相器的输出端、另一端连接所述第三反相器的输入端；所述第五NMOS管的漏端连接所述第三反相器的输入端、栅端连接所述第二反相器的输出端、源端接地。

7.根据权利要求6所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述延时单元还包括连接于输入信号与所述电阻之间的缓冲器，所述缓冲器包括两级反相器。

8.根据权利要求6所述的单光子雪崩二极管的淬火复位电路，其特征在于：所述第二电容的电容值小于100fF。